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P4C164-12LSMLF PDF预览

P4C164-12LSMLF

更新时间： 2024-11-18 04:03:47
品牌 Logo 应用领域
PYRAMID 存储内存集成电路静态存储器
页数 文件大小 规格书
16页 182K
描述
ULTRA HIGH SPEED 8K x 8 STATIC CMOS RAMS

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P4C164-12LSMLF 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：QLCC
包装说明：QCCN,针数：28
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：3A001.A.2.C
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.01
最长访问时间：12 nsJESD-30 代码：R-CQCC-N28
长度：13.97 mm内存密度：65536 bit
内存集成电路类型：STANDARD SRAM内存宽度：8
功能数量：1端子数量：28
字数：8192 words字数代码：8000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-55 °C组织：8KX8
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装代码：QCCN
封装形状：RECTANGULAR封装形式：CHIP CARRIER
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.905 mm
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：MILITARY
端子形式：NO LEAD端子节距：1.27 mm
端子位置：QUAD处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：8.89 mmBase Number Matches：1

P4C164-12LSMLF 数据手册

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P4C164  
ULTRA HIGH SPEED 8K x 8  
STATIC CMOS RAMS  
FEATURES  
Common Data I/O  
Full CMOS, 6T Cell  
Fully TTL Compatible Inputs and Outputs  
High Speed (Equal Access and Cycle Times)  
– 8/10/12/15/20/25/35/70/100 ns (Commercial)  
– 10/12/15/20/25/35/70/100 ns(Industrial)  
–12/15/20/25/35/45/70/100ns(Military)  
StandardPinout(JEDECApproved)  
– 28-Pin 300 mil Plastic DIP, SOJ  
– 28-Pin 600 mil Plastic DIP (70 & 100ns)  
– 28-Pin 300 mil SOP (70 & 100ns)  
– 28-Pin 300 mil Ceramic DIP  
– 28-Pin 600 mil Ceramic DIP  
– 28-Pin 350 x 550 mil LCC  
Low Power Operation  
Output Enable and Dual Chip Enable Control  
Functions  
– 32-Pin 450 x 550 mil LCC  
–28-PinCERPACK  
Single 5V±10% Power Supply  
Data Retention with 2.0V Supply, 10 µA Typical  
Current(P4C164LMilitary)  
DESCRIPTION  
Access times as fast as 8 nanoseconds are available,  
permitting greatly enhanced system operating speeds.  
The P4C164 is a 65,536-bit ultra high-speed static RAM  
organized as 8K x 8. The CMOS memory requires no  
clocks or refreshing and has equal access and cycle  
times.InputsarefullyTTL-compatible. TheRAMoperates  
from a single 5V±10% tolerance power supply. With  
battery backup, data integrity is maintained with supply  
voltages down to 2.0V. Current drain is typically 10 µA  
from a 2.0V supply.  
TheP4C164isavailablein28-pin300milDIPandSOJ,28-  
pin 600 mil plastic and ceramic DIP, 28-pin 350 x 550 mil  
LCC, 32-pin 450 x 550 mil LCC, and 28-pin CERPACK.  
The70nsand100nsP4C164sareavailableinthe600mil  
plastic DIP.  
PIN CONFIGURATIONS  
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM  
DIP (P5, P6, C5, C5-1, D5-1, D5-2),  
SOJ (J5), CERPACK (F4), SOP(S6)  
SEE PAGE 7 FOR LCC PIN CONFIGURATIONS  
Document # SRAM115 REV F  
Revised June 2007  
1
1234567...16

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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