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P4C164-12JILF

更新时间： 2024-11-20 03:45:51

品牌	Logo	应用领域
PYRAMID		存储内存集成电路静态存储器光电二极管
页数	文件大小	规格书
16页	182K
描述
ULTRA HIGH SPEED 8K x 8 STATIC CMOS RAMS

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P4C164-12JILF 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	SOJ
包装说明：	SOJ, SOJ28,.34	针数：	28
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.01
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	12 ns
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PDSO-J28
JESD-609代码：	e3	长度：	18.161 mm
内存密度：	65536 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	28	字数：	8192 words
字数代码：	8000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	8KX8	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	SOJ
封装等效代码：	SOJ28,.34	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	5 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	3.7592 mm
最大待机电流：	0.015 A	最小待机电流：	4.5 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.18 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	J BEND
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	7.5184 mm
Base Number Matches：	1

P4C164-12JILF 数据手册

P4C164

ULTRA HIGH SPEED 8K x 8

STATIC CMOS RAMS

FEATURES

Common Data I/O

Full CMOS, 6T Cell

Fully TTL Compatible Inputs and Outputs

High Speed (Equal Access and Cycle Times)

– 8/10/12/15/20/25/35/70/100 ns (Commercial)

– 10/12/15/20/25/35/70/100 ns(Industrial)

–12/15/20/25/35/45/70/100ns(Military)

StandardPinout(JEDECApproved)

– 28-Pin 300 mil Plastic DIP, SOJ

– 28-Pin 600 mil Plastic DIP (70 & 100ns)

– 28-Pin 300 mil SOP (70 & 100ns)

– 28-Pin 300 mil Ceramic DIP

– 28-Pin 600 mil Ceramic DIP

– 28-Pin 350 x 550 mil LCC

Low Power Operation

Output Enable and Dual Chip Enable Control

Functions

– 32-Pin 450 x 550 mil LCC

–28-PinCERPACK

Single 5V±10% Power Supply

Data Retention with 2.0V Supply, 10 µA Typical

Current(P4C164LMilitary)

DESCRIPTION

Access times as fast as 8 nanoseconds are available,

permitting greatly enhanced system operating speeds.

The P4C164 is a 65,536-bit ultra high-speed static RAM

organized as 8K x 8. The CMOS memory requires no

clocks or refreshing and has equal access and cycle

times.InputsarefullyTTL-compatible. TheRAMoperates

from a single 5V±10% tolerance power supply. With

battery backup, data integrity is maintained with supply

voltages down to 2.0V. Current drain is typically 10 µA

from a 2.0V supply.

TheP4C164isavailablein28-pin300milDIPandSOJ,28-

pin 600 mil plastic and ceramic DIP, 28-pin 350 x 550 mil

LCC, 32-pin 450 x 550 mil LCC, and 28-pin CERPACK.

The70nsand100nsP4C164sareavailableinthe600mil

plastic DIP.

PIN CONFIGURATIONS

FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM

DIP (P5, P6, C5, C5-1, D5-1, D5-2),

SOJ (J5), CERPACK (F4), SOP(S6)

1519B

SEE PAGE 7 FOR LCC PIN CONFIGURATIONS

Document # SRAM115 REV F

Revised June 2007

12 3 4 5 6 7...16

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与P4C164-12JILF相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
P4C164-12JM	PYRAMID	获取价格	Standard SRAM, 8KX8, 12ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, SOJ-28
P4C164-12JMBLF	PYRAMID	获取价格	ULTRA HIGH SPEED 8K x 8 STATIC CMOS RAMS
P4C164-12JMLF	PYRAMID	获取价格	ULTRA HIGH SPEED 8K x 8 STATIC CMOS RAMS
P4C164-12L32C	PYRAMID	获取价格	Standard SRAM, 8KX8, 12ns, CMOS, CQCC32, 0.450 X 0.550 INCH, CERAMIC, LCC-32
P4C164-12L32CLF	PYRAMID	获取价格	ULTRA HIGH SPEED 8K x 8 STATIC CMOS RAMS
P4C164-12L32I	PYRAMID	获取价格	Standard SRAM, 8KX8, 12ns, CMOS, CQCC32, 0.450 X 0.550 INCH, CERAMIC, LCC-32
P4C164-12L32ILF	PYRAMID	获取价格	ULTRA HIGH SPEED 8K x 8 STATIC CMOS RAMS
P4C164-12L32M	PYRAMID	获取价格	Standard SRAM, 8KX8, 12ns, CMOS, CQCC32, 0.450 X 0.550 INCH, CERAMIC, LCC-32
P4C164-12L32MB	PYRAMID	获取价格	Standard SRAM, 8KX8, 12ns, CMOS, CQCC32, 0.450 X 0.550 INCH, CERAMIC, LCC-32
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