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P4C1256-35DCLF

更新时间： 2024-11-18 05:25:55

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17页	170K
描述
HIGH SPEED 32K x 8 STATIC CMOS RAM

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P4C1256-35DCLF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	DIP	包装说明：	DIP,
针数：	28	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.56	最长访问时间：	35 ns
JESD-30 代码：	R-CDIP-T28	内存密度：	262144 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端子数量：	28
字数：	32768 words	字数代码：	32000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	32KX8
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装代码：	DIP
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	5.8928 mm
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子节距：	2.54 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	15.24 mm	Base Number Matches：	1

P4C1256-35DCLF 数据手册

P4C1256

HIGH SPEED 32K x 8

STATIC CMOS RAM

FEATURES

Fully TTL Compatible Inputs and Outputs

Advanced CMOS Technology

Fast t_OE

Automatic Power Down

Packages

High Speed (Equal Access and Cycle Times)

— 12/15/20/25/35 ns (Commercial)

— 15/20/25/35/45 ns (Industrial)

— 20/25/35/45/55/70 ns (Military)

Low Power

—28-Pin 300 mil DIP, SOJ, TSOP

—28-Pin 300 mil Ceramic DIP

—28-Pin 600 mil Ceramic DIP

—28-Pin CERPACK

—28-Pin SOP

—28-Pin LCC (350 mil x 550 mil)

—32-Pin LCC (450 mil x 550 mil)

Single 5V±10% Power Supply

Easy Memory Expansion Using CE and OE

Inputs

Common Data I/O

Three-State Outputs

DESCRIPTION

The P4C1256 device provides asynchronous operation

with matching access and cycle times. Memory loca-

tions are specified on address pins A₀to A₁₄. Reading

is accomplished by device selection (CE and output

enabling (OE) while write enable (WE) remains HIGH.

By presenting the address under these conditions, the

data in the addressed memory location is presented on

the data input/output pins. The input/output pins stay

in the HIGH Z state when either CE or OE is HIGH or

WE is LOW.

The P4C1256 is a 262,144-bit high-speed CMOS

static RAM organized as 32Kx8. The CMOS memory

requires no clocks or refreshing, and has equal access

and cycle times. Inputs are fully TTL-compatible. The

RAM operates from a single 5V±10% tolerance power

supply.

Access times as fast as 12 nanoseconds permit greatly

enhanced system operating speeds. CMOS is utilized

to reduce power consumption to a low level. The

P4C1256 is a member of a family of PACE RAM™ prod-

ucts offering fast access times.

Package options for the P4C1256 include 28-pin 300

mil DIP, SOJ and TSOP packages. For military tempera-

ture range, Ceramic DIP and LCC packages are avail-

able.

PIN CONFIGURATIONS

FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM

DIP (P5, C5, C5-1, D5-2), SOJ (J5), SOP (S11-1, S11-3)

CERPACK (F4) SIMILAR

1519B

See end of datasheet for LCC and TSOP

pin configurations.

Document # SRAM119 REV G

Revised June 2007

12 3 4 5 6 7...17

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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P4C1256-35DM	PYRAMID	获取价格	Standard SRAM, 32KX8, 35ns, CMOS, CDIP28, 0.600 INCH, CERAMIC, DIP-28
P4C1256-35DMB	PYRAMID	获取价格	Standard SRAM, 32KX8, 35ns, CMOS, CDIP28, 0.600 INCH, CERAMIC, DIP-28
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P4C1256-35DWILF	PYRAMID	获取价格	Standard SRAM, 32KX8, 35ns, CMOS, CDIP28, 0.600 INCH, ROHS COMPLIANT, CERAMIC, DIP-28
P4C1256-35DWM	PYRAMID	获取价格	Standard SRAM, 32KX8, 35ns, CMOS, CDIP28, 0.600 INCH, CERAMIC, DIP-28
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