生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | QLCC |
包装说明: | PEDESTAL, PLASTIC, SOT-261-3, LCC-28 | 针数: | 28 |
Reach Compliance Code: | unknown | HTS代码: | 8542.39.00.01 |
风险等级: | 5.84 | 最大时钟频率: | 65 MHz |
JESD-30 代码: | S-PQCC-J28 | 长度: | 11.5062 mm |
专用输入次数: | 11 | I/O 线路数量: | 10 |
端子数量: | 28 | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 11 DEDICATED INPUTS, 10 I/O |
输出函数: | MACROCELL | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | QCCJ | 封装形状: | SQUARE |
封装形式: | CHIP CARRIER | 可编程逻辑类型: | EE PLD |
传播延迟: | 15 ns | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 4.57 mm | 最大供电电压: | 3.6 V |
最小供电电压: | 3 V | 标称供电电压: | 3.3 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子形式: | J BEND |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | QUAD |
宽度: | 11.5062 mm |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
P3Z22V10IBA-T | NXP |
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EE PLD, 15ns, PQCC28 | |
P3Z22V10IBD | NXP |
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3V zero power, TotalCMOS, universal PLD device | |
P3Z22V10IBDH | NXP |
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3V zero power, TotalCMOS, universal PLD device | |
P3Z22V10IBDH-T | XILINX |
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EE PLD, 15ns, PDSO24 | |
P3Z7AAT800W | POWEREX |
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Phase Control Modules (345-800 Amperes/400-3000 Volts) | |
P3Z7AAT800W22 | ETC |
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THYRISTOR MODULE|SCR DOUBLER|2.2KV V(RRM)|300A I(T) | |
P3Z7AAT800W24 | ETC |
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THYRISTOR MODULE|SCR DOUBLER|2.4KV V(RRM)|300A I(T) | |
P3Z7AAT800W26 | ETC |
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THYRISTOR MODULE|SCR DOUBLER|2.6KV V(RRM)|300A I(T) | |
P3Z7AAT800W28 | ETC |
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THYRISTOR MODULE|SCR DOUBLER|2.8KV V(RRM)|300A I(T) | |
P3Z7AAT800W30 | ETC |
获取价格 |
THYRISTOR MODULE|SCR DOUBLER|3KV V(RRM)|300A I(T) |