Datasheet > P3506ET

P3506ET

更新时间： 2024-09-14 17:15:35

品牌	Logo	应用领域
尼克森微 - NIKOSEM		/
页数	文件大小	规格书
4页	199K
描述
TO-220

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

P3506ET 数据手册

P-Channel Enhancement Mode

Field Effect Transistor

P3506ET

TO-220

Halogen-Free & Lead-Free

NIKO-SEM

PRODUCT SUMMARY

V_(BR)DSS

-60V

R_DS(ON)

I_D

-36A

35mΩ

1. GATE

2. DRAIN

3. SOURCE

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_A= 25 °C Unless Otherwise Noted)

PARAMETERS/TEST CONDITIONS

Drain-Source Voltage

SYMBOL

V_DS

LIMITS

-60

UNITS

Gate-Source Voltage

V_GS

±25

T_C= 25 °C

-36

Continuous Drain Current²

I_D

T_C= 100 °C

-23

Pulsed Drain Current¹

Avalanche Current

Avalanche Energy

Power Dissipation

I_DM

I_AS

-86

-28

L = 0.1mH

T_C= 25 °C

T_C= 100 °C

E_AS

P_D

Junction & Storage Temperature Range

T_J, T_stg

-55 to 150

°C

THERMAL RESISTANCE RATINGS

THERMAL RESISTANCE

SYMBOL

R_JC

TYPICAL

MAXIMUM

UNITS

°C / W

Junction-to-Case

1.43

62.5

Junction-to-Ambient

R_JA

¹Pulse width limited by maximum junction temperature.

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_J= 25 °C, Unless Otherwise Noted)

LIMITS

MIN TYP MAX

PARAMETER

SYMBOL

TEST CONDITIONS

STATIC

UNIT

Drain-Source Breakdown Voltage

Gate Threshold Voltage

Gate-Body Leakage

V_(BR)DSS

V_GS(th)

I_GSS

-60

V_GS= 0V, I_D= -250A

V_DS= V_GS, I_D= -250A

V_DS= 0V, V_GS= ±25V

-1.3 -1.8 -2.3

±100 nA

REV1.0

I-35-2

12 3 4

中文翻译

下载PDF

与P3506ET相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
P3506ETF	NIKOSEM	获取价格	TO-220F
P35-0702R	ETC	获取价格	Interface IC
P35-0702T	BOOKHAM	获取价格	GaAs MMIC SPDT Terminated Switch, DC-2GHz
P35-1	ETC	获取价格	AC-DC POWER MODULE +/- 15VDC OUT
P35-100S	ETC	获取价格	AC-DC POWER MODULE 100VDC OUTPUT
P35-100S/22	ETC	获取价格	AC-DC POWER MODULE 100VDC OUTPUT
P35-100S-04	ETC	获取价格	AC-DC POWER MODULE 100VDC OUTPUT
P35-100SAX	ETC	获取价格	AC-DC POWER MODULE 100VDC OUTPUT
P35-100S-FST	ETC	获取价格	AC-DC POWER MODULE 100VDC OUTPUT
P35-100SQX	ETC	获取价格	AC-DC POWER MODULE 100VDC OUTPUT