5秒后页面跳转
P2186-30 PDF预览

P2186-30

更新时间: 2024-02-03 06:56:50
品牌 Logo 应用领域
英特尔 - INTEL 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
8页 280K
描述
Standard SRAM, 8KX8, 300ns, NMOS, PDIP28, PLASTIC, DIP-28

P2186-30 技术参数

生命周期:Active零件包装代码:DIP
包装说明:DIP,针数:28
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.79
最长访问时间:300 ns其他特性:INTEGRATED RAM
JESD-30 代码:R-PDIP-T28长度:37.02 mm
内存密度:65536 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8功能数量:1
端口数量:1端子数量:28
字数:8192 words字数代码:8000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:8KX8
输出特性:3-STATE可输出:YES
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:DIP
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
并行/串行:PARALLEL认证状态:Not Qualified
座面最大高度:5.08 mm最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:NMOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
宽度:15.24 mmBase Number Matches:1

P2186-30 数据手册

 浏览型号P2186-30的Datasheet PDF文件第2页浏览型号P2186-30的Datasheet PDF文件第3页浏览型号P2186-30的Datasheet PDF文件第4页浏览型号P2186-30的Datasheet PDF文件第5页浏览型号P2186-30的Datasheet PDF文件第6页浏览型号P2186-30的Datasheet PDF文件第7页 

与P2186-30相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
P2186-35 INTEL Standard SRAM, 8KX8, 350ns, NMOS, PDIP28, PLASTIC, DIP-28

获取价格

P2187A-25 INTEL EDO DRAM, 8KX8, 250ns, NMOS, PDIP28, PLASTIC, DIP-28

获取价格

P2187A-30 INTEL EDO DRAM, 8KX8, 300ns, NMOS, PDIP28, PLASTIC, DIP-28

获取价格

P2187A-35 INTEL EDO DRAM, 8KX8, 350ns, NMOS, PDIP28, PLASTIC, DIP-28

获取价格

P219 ETC SCHWIMMERSCHALTER

获取价格

P21A GOOD-ARK Surface Mount Glass Passivated Standard Rectifier

获取价格