生命周期: | Active | 零件包装代码: | DIP |
包装说明: | DIP, | 针数: | 28 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.78 |
最长访问时间: | 250 ns | 其他特性: | INTEGRATED RAM |
JESD-30 代码: | R-PDIP-T28 | 长度: | 37.02 mm |
内存密度: | 65536 bit | 内存集成电路类型: | STANDARD SRAM |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 1 | 端子数量: | 28 |
字数: | 8192 words | 字数代码: | 8000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 8KX8 | |
输出特性: | 3-STATE | 可输出: | YES |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | DIP |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | IN-LINE |
并行/串行: | PARALLEL | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 5.08 mm | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | NO | 技术: | NMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子节距: | 2.54 mm | 端子位置: | DUAL |
宽度: | 15.24 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
P2186-30 | INTEL |
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Standard SRAM, 8KX8, 300ns, NMOS, PDIP28, PLASTIC, DIP-28 | |
P2186-35 | INTEL |
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Standard SRAM, 8KX8, 350ns, NMOS, PDIP28, PLASTIC, DIP-28 | |
P2187A-25 | INTEL |
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EDO DRAM, 8KX8, 250ns, NMOS, PDIP28, PLASTIC, DIP-28 | |
P2187A-30 | INTEL |
获取价格 |
EDO DRAM, 8KX8, 300ns, NMOS, PDIP28, PLASTIC, DIP-28 | |
P2187A-35 | INTEL |
获取价格 |
EDO DRAM, 8KX8, 350ns, NMOS, PDIP28, PLASTIC, DIP-28 | |
P219 | ETC |
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SCHWIMMERSCHALTER | |
P21A | GOOD-ARK |
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Surface Mount Glass Passivated Standard Rectifier | |
P21BN120CF5ST | DILABS |
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Milli-Cap | |
P21BN121CF5ST | DILABS |
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Milli-Cap | |
P21BN1R2CF5ST | DILABS |
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Milli-Cap |