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P13009A?

更新时间： 2024-11-18 15:18:55
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晶导 - JINGDAO /
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TO-3PB

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P13009A? 数据手册

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R
P13009A  
深圳市晶导电子有限公司  
ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd.  
www.jdsemi.cn  
低频放大环境额定双极型晶体管  
◆硅 NPN  
◆符合 RoHS 环保指令要求  
1．主要用途  
主要用于电子节能灯、电子镇流器、计算机  
开关电源及各类功率开关电路  
2．主要特点  
耐压高  
高温特性好  
开关速度快  
1
2
3
3．封装外形  
TO-3PB  
4．电特性  
4.1极限值  
1 基极(B) 2 集电极(C) 3 发射极(E)  
除非另有规定，Tamb= 25℃  
参 数 名 称  
集电极-基 极电压  
集电极-发射极电压  
发射极-基 极电压  
集电极电流  
符号  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
额定值  
单位  
700  
400  
9
V
V
V
A
12  
3
Ta=25℃  
Tc=25℃  
Ptot  
W
耗散功率  
130  
150  
-55～150  
Tj  
结温  
℃
℃
Tstg  
贮存温度  
4.2 电参数  
除非另有规定，Tamb= 25℃  
规 范 值  
单
位
参 数 名 称  
符 号  
测 试 条 件  
最小 典型 最大  
BVCBO  
BVCEO  
BVEBO  
ICBO  
700  
400  
9
V
集电极-基 极击穿电压  
集电极-发射极击穿电压  
发射极-基 极击穿电压  
集电极-基极截止电流  
集电极-发射极截止电流  
发射极-基极截止电流  
IC=1mA，IE=0  
IC=1mA，IB=0  
IE=1mA，IC=0  
VCB=700V, IE=0  
VCE=400V, IB=0  
VEB=9V, IC=0  
V
V
10  
20  
10  
8
μA  
μA  
μA  
ICEO  
IEBO  
VCE=5V, IC=1mA  
VCE=5V, IC=3A  
*
hFE  
共发射极电流放大系数  
15  
40  
0.8  
1.5  
0.5  
0.4  
8.0  
*
VCE sat IC=8A, IB=4A  
V
集电极-发射极饱和电压  
*
VBE sat IC=8A, IB=4A  
V
基
极-发射极饱和电压  
tr  
上升时间  
下降时间  
贮存时间  
μs  
μs  
μs  
tf  
ts  
IC=500mA (UI9600)  
0.10  
5.0  
4
VCE=10V,IC=0.5A,  
f=1MHz  
MHz  
fT  
特征频率  
＊: 脉冲测试 tp≤300μs,δ≤2%  
地址：深圳市宝安区石岩街道洲石路中集创谷产业园 B 栋 1-3 层  
电话：0755-29799516  
传真：0755-29799515  
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1234

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