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P13009?

更新时间： 2024-09-14 15:18:31

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晶导 - JINGDAO		/
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TO-3PB

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P13009? 数据手册

P13009

深圳市晶导电子有限公司

ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd.

www.jdsemi.cn

低频放大环境额定双极型晶体管

◆硅 NPN

◆符合 RoHS 环保指令要求

1．主要用途

主要用于电子节能灯、电子镇流器、计算机

开关电源及各类功率开关电路

2．主要特点



耐压高

高温特性好

开关速度快

3．封装外形

TO-3PB

4．电特性

4.1极限值

1 基极(B) 2 集电极(C) 3 发射极(E)

除非另有规定，T_amb= 25℃

参数名称

集电极-基极电压

集电极-发射极电压

发射极-基极电压

集电极电流

符号

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

额定值

单位

700

400

Ta=25℃

Tc=25℃

P_tot

耗散功率

120

150

-55～150

T_j

结温

℃

T_stg

贮存温度

4.2 电参数

除非另有规定，T_amb= 25℃

规范值

单

位

参数名称

符号

测试条件

最小典型最大

BV_CBO

BV_CEO

BV_EBO

I_CBO

700

400

集电极-基极击穿电压

集电极-发射极击穿电压

发射极-基极击穿电压

集电极-基极截止电流

集电极-发射极截止电流

发射极-基极截止电流

I_C=1mA，I_E=0

I_C=1mA，I_B=0

I_E=1mA，I_C=0

V_CB=700V, I_E=0

V_CE=400V, I_B=0

V_EB=9V, I_C=0

μA

I_CEO

I_EBO

V_CE=5V, I_C=1mA

V_CE=5V, I_C=3A

h_FE

共发射极电流放大系数

0.8

1.4

0.4

7.0

V_{CE sat}I_C=8A, I_B=4A

集电极-发射极饱和电压

V_{BE sat}I_C=8A, I_B=4A

基

极-发射极饱和电压

t_r

上升时间

下降时间

贮存时间

μs

t_f

t_s

I_C=500mA (UI9600)

0.10

4.0

V_CE=10V,I_C=0.5A,

f=1MHz

MHz

f_T

特征频率

＊: 脉冲测试 tp≤300μs,δ≤2%

地址：深圳市宝安区石岩街道洲石路中集创谷产业园 B 栋 1-3 层

电话：0755-29799516

传真：0755-29799515

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