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P11C68-45/IG/DCBS

更新时间： 2024-09-24 13:02:39

品牌	Logo	应用领域
加拿大卓联 - ZARLINK		静态存储器
页数	文件大小	规格书
17页	156K
描述
Non-Volatile SRAM, 8KX8, 45ns, CMOS, CDIP28, 0.300 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-28

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P11C68-45/IG/DCBS 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	DIP,
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.84
最长访问时间：	45 ns	JESD-30 代码：	R-CDIP-T28
JESD-609代码：	e0	长度：	35.56 mm
内存密度：	65536 bit	内存集成电路类型：	NON-VOLATILE SRAM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	28	字数：	8192 words
字数代码：	8000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	8KX8	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码：	DIP	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	并行/串行：	PARALLEL
认证状态：	Not Qualified	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子节距：	2.54 mm
端子位置：	DUAL	宽度：	7.62 mm
Base Number Matches：	1

P11C68-45/IG/DCBS 数据手册

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P10C68/P11C68

PRELIMINARY INFORMATION

DS3600-1.2 September 1992

P10C68/P11C68

(Previously PNC10C68 and PNC11C68

)

CMOS/SNOS NVSRAM

HIGH PERFORMANCE 8 K x 8 NON-VOLATILE STATIC RAM

(Supersedes DS3159-1.3, DS3160-1.3, DS3234-1.1, DS3235-1.1)

The P10C68 and P11C68 are fast static RAMs (35 and 45

ns) with a non-volatile electically-erasable PROM (EEPROM)

cell incorporating in each static memory cell. The SRAM can

be read and written an unlimited number of times while

independent non-volatile data resides in PROM.

V_CC

A₁₂

On the P10C68 data may easily be transferred from the

SRAM to the EEPROM (STORE) and from the EEPROM back

to the SRAM ( RECALL) using the NE (bar) pin. The Store and

Recall cycles are initiated through software sequences on the

P11C68. These devices combine the high performance and

ease of use of a fast SRAM with the data integrity of non-

volatility.

The P10C68 and P11C68 feature the industry standard

pinout for non-volatile RAMs in a 28-pin 0.3-inch plastic and

ceramic dual-in-line packages.

A₈

A₇

A₆

A₉

A₅

A₁₁

A₄

A₃

A₁₀

A₂

A₁

DQ₇

DQ₆

DQ₅

DQ₄

DQ₃

A₀

DQ₀

DQ₁

DQ₂

V_ss

FEATURES

I Non-Volatile Data Integrity

Pin Name

Function

I 10 year Data Retention in EEPROM

I 35ns and 45ns Address and Chip Enable Access Times

I 20ns and 25ns Output Enable Access

I Unlimited Read and Write to SRAM

I Unlimited Recall Cycles from EEPROM

I 10⁴Store Cycles to EEPROM

I Automatic Recall on Power up

I Automatic Store Timing

A - A

Address inputs

Write enable

Data in/out

Chip enable

Output enable

Power (+5V)

Ground

Non volatile enable P10C68

No connection

DQ - DQ

Pin 1 NE

Pin 1 N/C

P11C68

I Hardware Store Protection

Figure 1. Pin connections - top view.

I Single 5V ꢀ 10% Operation

I Available in Standard Package 28-pin 0.3-inch DIL

plastic and ceramic

I Commercial and Industrial temperature ranges

ORDERING INFORMATION

(See back page)

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
P11C68-45/IG/DPBS	MICROSEMI	获取价格	8KX8 NON-VOLATILE SRAM, 45ns, PDIP28, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-28
P11C68-45CG	ZARLINK	获取价格	CMOS/SNOS NVSRAM HIGH PERFORMANCE 8 K x 8 NON-VOLATILE STATIC RAM
P11C68-45CGDCBS	ZARLINK	获取价格	CMOS/SNOS NVSRAM HIGH PERFORMANCE 8 K x 8 NON-VOLATILE STATIC RAM
P11C68-45CGDPBS	ZARLINK	获取价格	CMOS/SNOS NVSRAM HIGH PERFORMANCE 8 K x 8 NON-VOLATILE STATIC RAM
P11C68-45DCBS	ZARLINK	获取价格	CMOS/SNOS NVSRAM HIGH PERFORMANCE 8 K x 8 NON-VOLATILE STATIC RAM
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P11C68-45IG	ZARLINK	获取价格	CMOS/SNOS NVSRAM HIGH PERFORMANCE 8 K x 8 NON-VOLATILE STATIC RAM
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P11C68-45IGDPBS	ZARLINK	获取价格	CMOS/SNOS NVSRAM HIGH PERFORMANCE 8 K x 8 NON-VOLATILE STATIC RAM
P11C68-CG	ZARLINK	获取价格	CMOS/SNOS NVSRAM HIGH PERFORMANCE 8 K x 8 NON-VOLATILE STATIC RAM

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