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P1000M

更新时间: 2024-11-26 04:11:39
品牌 Logo 应用领域
赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 整流二极管
页数 文件大小 规格书
2页 355K
描述
Standard silicon rectifier diodes

P1000M 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
包装说明:O-PALF-W2针数:2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.67
Is Samacsys:N应用:GENERAL PURPOSE
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码:O-PALF-W2JESD-609代码:e2
最大非重复峰值正向电流:400 A元件数量:1
相数:1端子数量:2
最高工作温度:175 °C最低工作温度:-50 °C
最大输出电流:10 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:1000 V表面贴装:NO
端子面层:Tin/Silver (Sn/Ag)端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

P1000M 数据手册

 浏览型号P1000M的Datasheet PDF文件第2页 
P 1000 A....P 1000 S  
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Axial lead diode  
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Standard silicon rectifier  
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P 1000 A....P 1000 S  
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Absolute Maximum Ratings  
Symbol Conditions  
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Forward Current: 10 A  
Reverse Voltage: 50 to 1200 V  
Values  
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Units  
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Features  
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Characteristics  
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Symbol Conditions  
Values  
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Units  
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Dimensions in mm  
3)  
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4)  
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5)  
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ꢗꢂꢅꢉꢏ %  &5' (ꢌꢌ)  
1
09-03-2007 MAM  
© by SEMIKRON  

与P1000M相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
P1000P1 MIMIX

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Wide Band Low Power Amplifier, 17000MHz Min, 24000MHz Max,
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