5秒后页面跳转
P1000G PDF预览

P1000G

更新时间: 2024-11-09 22:27:39
品牌 Logo 应用领域
德欧泰克 - DIOTEC 整流二极管
页数 文件大小 规格书
2页 87K
描述
Silicon Rectifiers

P1000G 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE P600, 2 PIN针数:2
Reach Compliance Code:compliantHTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.35Is Samacsys:N
应用:GENERAL PURPOSE外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):0.9 V
JESD-30 代码:O-PALF-W2湿度敏感等级:1
最大非重复峰值正向电流:450 A元件数量:1
相数:1端子数量:2
最高工作温度:175 °C最低工作温度:-50 °C
最大输出电流:10 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度):260认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:400 V子类别:Rectifier Diodes
表面贴装:NO端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

P1000G 数据手册

 浏览型号P1000G的Datasheet PDF文件第2页 
P 1000 A ... P 1000 M  
Silicon Rectifiers  
Silizium Gleichrichter  
Nominal current – Nennstrom  
10 A  
Repetitive peak reverse voltage  
Periodische Spitzensperrspannung  
50…1000 V  
Plastic case  
Kunststoffgehäuse  
Ø 8 x 7.5 [mm]  
P-600 Style  
Weight approx. – Gewicht ca.  
1.5 g  
Plastic material has UL classification 94V-0  
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert  
Standard packaging taped in ammo pack  
see page 16  
Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack siehe Seite 16  
Dimensions / Maße in mm  
Maximum ratings  
Grenzwerte  
Type  
Typ  
Repetitive peak reverse voltage  
Periodische Spitzensperrspannung  
Surge peak reverse voltage  
Stoßspitzensperrspannung  
VRSM [V]  
VRRM [V]  
P 1000 A  
P 1000 B  
P 1000 D  
P 1000 G  
P 1000 J  
P 1000 K  
P 1000 M  
50  
50  
100  
200  
400  
600  
800  
1000  
100  
200  
400  
600  
800  
1000  
Max. average forward rectified current, R-load  
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last  
TA = 50C  
f > 15 Hz  
TA = 25C  
TA = 25C  
IFAV  
IFRM  
IFSM  
10 A 1)  
80 A 1)  
400 A  
Repetitive peak forward current  
Periodischer Spitzenstrom  
Peak forward surge current, 50 Hz half sine-wave  
Stoßstrom für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle  
Rating for fusing – Grenzlastintegral, t < 10 ms  
i2t  
Tj  
800 A2s  
Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur  
Storage temperature – Lagerungstemperatur  
– 50…+175C  
TS – 50…+175C  
1
)
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case  
Gültig, wenn die Anschlußdrähte in 10 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden  
11.11.2003  
1

与P1000G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
P1000J SUNMATE

获取价格

10.0A plug-in rectifier diode 600V R-6 series
P1000J DIOTEC

获取价格

Silicon Rectifiers
P1000J SEMIKRON

获取价格

Standard silicon rectifier diodes
P1000K SUNMATE

获取价格

10.0A plug-in rectifier diode 800V R-6 series
P1000K SEMIKRON

获取价格

Standard silicon rectifier diodes
P1000K DIOTEC

获取价格

Silicon Rectifiers
P1000M SUNMATE

获取价格

10.0A plug-in rectifier diode 1000V R-6 series
P1000M DIOTEC

获取价格

Silicon Rectifiers
P1000M SEMIKRON

获取价格

Standard silicon rectifier diodes
P1000P1 MIMIX

获取价格

Wide Band Low Power Amplifier, 17000MHz Min, 24000MHz Max,