5秒后页面跳转
P036RH08FK0 PDF预览

P036RH08FK0

更新时间: 2024-02-12 10:16:04
品牌 Logo 应用领域
IXYS 栅极
页数 文件大小 规格书
2页 208K
描述
Silicon Controlled Rectifier, SILICON CONTROLLED RECTIFIER,800V V(DRM),100A I(T),TO-208AC

P036RH08FK0 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:,
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.84标称电路换相断开时间:20 µs
关态电压最小值的临界上升速率:200 V/us最大直流栅极触发电流:100 mA
最大直流栅极触发电压:3 V最大维持电流:400 mA
最大漏电流:10 mA通态非重复峰值电流:600 A
最大通态电流:100000 A最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-30 °C断态重复峰值电压:800 V
子类别:Silicon Controlled Rectifiers表面贴装:NO
触发设备类型:SCRBase Number Matches:1

P036RH08FK0 数据手册

 浏览型号P036RH08FK0的Datasheet PDF文件第2页 

与P036RH08FK0相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
P036RH08FKO IXYS Silicon Controlled Rectifier, 100A I(T)RMS, 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Element

获取价格

P036RH10 LITTELFUSE Silicon Controlled Rectifier, 100000mA I(T), 1000V V(DRM),

获取价格

P036RH10CG IXYS Silicon Controlled Rectifier, 100 A, 1000 V, SCR, TO-65

获取价格

P036RH10CG0 IXYS Silicon Controlled Rectifier, 100000mA I(T), 1000V V(DRM)

获取价格

P036RH10CGO IXYS Silicon Controlled Rectifier, 100A I(T)RMS, 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 Element

获取价格

P036RH10CJ0 IXYS Silicon Controlled Rectifier, 100000mA I(T), 1000V V(DRM)

获取价格