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P027RH02DJO PDF预览

P027RH02DJO

更新时间： 2024-01-30 08:23:00

品牌	Logo	应用领域
IXYS		栅栅极
页数	文件大小	规格书
2页	257K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 100A I(T)RMS, 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Element

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P027RH02DJO 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	POST/STUD MOUNT, O-MUPM-H3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.30.00.80	风险等级：	5.84
其他特性：	HIGH RELIABILITY	配置：	SINGLE
最大直流栅极触发电流：	100 mA	JESD-30 代码：	O-MUPM-H3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	POST/STUD MOUNT	认证状态：	Not Qualified
最大均方根通态电流：	100 A	断态重复峰值电压：	200 V
重复峰值反向电压：	200 V	表面贴装：	NO
端子形式：	HIGH CURRENT CABLE	端子位置：	UPPER
触发设备类型：	SCR

P027RH02DJO 数据手册

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与P027RH02DJO相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
P027RH02DK	IXYS	Silicon Controlled Rectifier, 100A I(T)RMS, 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Element, TO-65	获取价格
P027RH02DL0	IXYS	Silicon Controlled Rectifier, SILICON CONTROLLED RECTIFIER,200V V(DRM),100A I(T),TO-208AC	获取价格
P027RH02DM	IXYS	Silicon Controlled Rectifier, 100 A, 200 V, SCR, TO-65	获取价格
P027RH02DMO	IXYS	Silicon Controlled Rectifier, 100A I(T)RMS, 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Element	获取价格
P027RH02DN	IXYS	Silicon Controlled Rectifier, 100A I(T)RMS, 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Element, TO-65	获取价格
P027RH02DN0	IXYS	Silicon Controlled Rectifier, 100000mA I(T), 200V V(DRM)	获取价格

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