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P027PH10CJO PDF预览

P027PH10CJO

更新时间： 2024-02-05 05:34:36

品牌	Logo	应用领域
IXYS		栅栅极
页数	文件大小	规格书
2页	257K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 100A I(T)RMS, 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 Element

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P027PH10CJO 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	POST/STUD MOUNT, O-MUPM-H3
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8541.30.00.80
风险等级：	5.84	其他特性：	HIGH RELIABILITY
配置：	SINGLE	最大直流栅极触发电流：	100 mA
JESD-30 代码：	O-MUPM-H3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	POST/STUD MOUNT
认证状态：	Not Qualified	最大均方根通态电流：	100 A
断态重复峰值电压：	1000 V	重复峰值反向电压：	1000 V
表面贴装：	NO	端子形式：	HIGH CURRENT CABLE
端子位置：	UPPER	触发设备类型：	SCR
Base Number Matches：	1

P027PH10CJO 数据手册

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与P027PH10CJO相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
P027PH10CK	IXYS	Silicon Controlled Rectifier, 100A I(T)RMS, 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 Element	获取价格
P027PH10CKO	IXYS	Silicon Controlled Rectifier, 100 A, 1000 V, SCR	获取价格
P027PH10DG	IXYS	Silicon Controlled Rectifier, 100 A, 1000 V, SCR	获取价格
P027PH10DGO	IXYS	Silicon Controlled Rectifier, 100A I(T)RMS, 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 Element	获取价格
P027PH10DH	IXYS	Silicon Controlled Rectifier, 100A I(T)RMS, 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 Element	获取价格
P027PH10DHO	IXYS	Silicon Controlled Rectifier, 100A I(T)RMS, 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 Element	获取价格

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