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P0201NN

更新时间： 2024-02-01 07:56:42

品牌	Logo	应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS		栅栅极
页数	文件大小	规格书
5页	344K
描述
SILICON CONTROLLED RECTIFIER,800V V(DRM),500MA I(T),SOT-223

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P0201NN 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.84	标称电路换相断开时间：	200 µs
关态电压最小值的临界上升速率：	100 V/us	最大直流栅极触发电流：	0.02 mA
最大直流栅极触发电压：	0.8 V	最大维持电流：	5 mA
JESD-609代码：	e3	最大漏电流：	0.01 mA
通态非重复峰值电流：	8 A	最大通态电流：	500 A
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-40 °C
断态重复峰值电压：	800 V	子类别：	Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
触发设备类型：	SCR	Base Number Matches：	1

P0201NN 数据手册

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与P0201NN相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
P0201NN5AA4	ETC	THYRISTOR SMD 0.8A 800V	获取价格
P0201V05	PROTEC	ultra low capacitance esd pr otection component	获取价格
P020-2-010X	ENSIGN	Captain Class	获取价格
P020-2-012X	ENSIGN	Captain Class	获取价格
P020-2-016X	ENSIGN	Captain Class	获取价格
P020-2-020X	ENSIGN	Captain Class	获取价格

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