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HE8812SG

更新时间： 2024-01-24 15:51:54

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OPNEXT		半导体光电二极管
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4页	89K
描述
GaAlAs Infrared Emitting Diode

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HE8812SG 技术参数

生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	unknown
HTS代码：	8541.40.20.00	Factory Lead Time：	12 weeks 6 days
风险等级：	5.14	Is Samacsys：	N
光电设备类型：	INFRARED LED	Base Number Matches：	1

HE8812SG 数据手册

HE8812SG

GaAlAs Infrared Emitting Diode

ODE-208-052 (Z)

Rev.0

Oct. 30, 2006

Description

The HE8812SG is a GaAlAs double heterojunction structure 870 nm band light emitting diode. It is suitable for use as

the light source in a wide range of optical control and sensing equipment.

Features

Package Type

• HE8812: SG1

Internal Circuit

•

High efficiency and high output power

Absolute Maximum Ratings

(T_C= 25°C)

Item

Forward current

Symbol

Ratings

250

Unit

I_F

Reverse voltage

V_R

Operating temperature

Storage temperature

Topr

Tstg

–20 to +60

–40 to +90

°C

Optical and Electrical Characteristics

(T_C= 25°C)

Item

Optical output power

Peak wavelength

Spectral width

Forward voltage

Reverse current

Capacitance

Symbol

P_O

Min

840

—

Typ

—

Max

—

Unit

Test Conditions

I_F= 200 mA

λp

∆λ

V_F

I_R

870

—

900

I_F= 200 mA

V_R= 3 V

—

2.5

100

—

µA

t_r

—

V_R= 0 V, f = 1 MHz

I_F= 50 mA

Rise time

—

Fall time

t_f

—

I_F= 50 mA

Rev.0 Oct. 30, 2006 page 1 of 4

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与HE8812SG相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
HE8813VG	HITACHI	Infrared LED, 4mm, 1-Element, 880nm	获取价格
HE8815VG	HITACHI	Infrared LED, 4mm, 1-Element, 880nm	获取价格
HE882	BOWEI	Broadband VCO	获取价格
HE883	BOWEI	Broadband VCO	获取价格
HE884	BOWEI	Broadband VCO	获取价格
HE891A	BOWEI	Voltage Variable Attenuators	获取价格