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HE8811

更新时间: 2024-02-22 22:25:46
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OPNEXT 光电二极管
页数 文件大小 规格书
6页 187K
描述
GaAlAs Infrared Emitting Diode

HE8811 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Transferred
包装说明:IR/SG1, 2 PINReach Compliance Code:unknown
风险等级:5.14最大正向电流:0.2 A
最大正向电压:2.5 VJESD-609代码:e0
安装特点:THROUGH HOLE MOUNT最高工作温度:60 °C
最低工作温度:-20 °C光电设备类型:INFRARED LED
峰值波长:780 nm最长响应时间:5e-9 s
最大反向电压:3 V半导体材料:GaAlAs
光谱带宽:5e-8 m子类别:Infrared LEDs
表面贴装:NO端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches:1

HE8811 数据手册

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HE8811  
GaAlAs Infrared Emitting Diode  
ODE-208-999B (Z)  
Rev.2  
Mar. 2005  
Description  
The HE8811 is a GaAlAs infrared emitting diode with a double heterojunction structure. It is high  
brightness, high output power and fast response make it suitable as a light source in measuring instruments  
and infrared-beam communication equipment.  
Features  
High-frequency response  
High efficiency and high output power  
Broad radiation pattern  
Package Type  
HE8811: SG1  
Internal Circuit  
1
2

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