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HE8811 - OPNEXT. INC.

光电二极管
型号:
HE8811
Datasheet下载:
HE8811
HE8811描述:
GaAlAs Infrared Emitting Diode
HE8811应用:
光电二极管
文档页数/大小:
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品牌Logo:
品牌名称:
OPNEXT [ OPNEXT. INC. ]

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应用: 光电二极管

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是否Rohs认证
不符合
生命周期
Transferred
IHS 制造商
OCLARO INC
Reach Compliance Code
unknown
风险等级
5.75
最大正向电流
0.2 A
最大正向电压
2.5 V
安装特点
THROUGH HOLE MOUNT
最高工作温度
60 °C
最低工作温度
-20 °C
峰值波长
780 nm
最长响应时间
5e-9 s
最大反向电压
3 V
半导体材料
GaAlAs
光谱带宽
5e-8 m
子类别
Infrared LEDs
表面贴装
NO
Base Number Matches
1
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下一页
HE8811
GaAlAs Infrared Emitting Diode
ODE-208-999B (Z)
Rev.2
Mar. 2005
Description
The HE8811 is a GaAlAs infrared emitting diode with a double heterojunction structure. It is high
brightness, high output power and fast response make it suitable as a light source in measuring instruments
and infrared-beam communication equipment.
Features
High-frequency response
High efficiency and high output power
Broad radiation pattern
Package Type
HE8811: SG1
Internal Circuit
1
2

与HE8811相似型号

型号 品牌 描述 数据表
HE8811_06 OPNEXT GaAlAs Infrared Emitting Diode
HE8812SG OPNEXT GaAlAs Infrared Emitting Diode
HE8812SG HITACHI GaAlAs Infrared Emitting Diode
HE8813VG HITACHI Infrared LED, 4mm, 1-Element, 880nm