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HE7601SG

更新时间: 2024-01-01 22:00:21
品牌 Logo 应用领域
OPNEXT 半导体光电二极管
页数 文件大小 规格书
6页 187K
描述
GaAlAs Infrared Emitting Diode

HE7601SG 技术参数

生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:unknown
风险等级:5.14最大正向电流:0.25 A
最大正向电压:2.5 V安装特点:THROUGH HOLE MOUNT
最高工作温度:60 °C最低工作温度:-20 °C
峰值波长:740 nm最长响应时间:5e-9 s
最大反向电压:3 V半导体材料:GaAlAs
光谱带宽:5e-8 m子类别:Infrared LEDs
表面贴装:NOBase Number Matches:1

HE7601SG 数据手册

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HE7601SG  
GaAlAs Infrared Emitting Diode  
ODE-208-996B (Z)  
Rev.2  
Mar. 2005  
Description  
The HE7601SG is a 770 nm band GaAlAs infrared emitting diode with a double heterojunction structure.  
It is suitable as a light source for optical control devices and sensors.  
Features  
High efficiency and high output power  
Package Type  
HE7601SG: SG1  
Internal Circuit  
1
2

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