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HE7601SG - OPNEXT. INC.

半导体光电二极管
型号:
HE7601SG
Datasheet下载:
HE7601SG
HE7601SG描述:
GaAlAs Infrared Emitting Diode
HE7601SG应用:
半导体光电二极管
文档页数/大小:
6页 / 187K
品牌Logo:
品牌名称:
OPNEXT [ OPNEXT. INC. ]

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HE7601SG

应用: 半导体光电二极管

文档: 6页 / 187K

品牌: OPNEXT

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生命周期
Obsolete
IHS 制造商
LUMENTUM OPERATIONS LLC
Reach Compliance Code
unknown
风险等级
5.14
最大正向电流
0.25 A
最大正向电压
2.5 V
安装特点
THROUGH HOLE MOUNT
最高工作温度
60 °C
最低工作温度
-20 °C
峰值波长
740 nm
最长响应时间
5e-9 s
最大反向电压
3 V
半导体材料
GaAlAs
光谱带宽
5e-8 m
子类别
Infrared LEDs
表面贴装
NO
Base Number Matches
1
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下一页
HE7601SG
GaAlAs Infrared Emitting Diode
ODE-208-996B (Z)
Rev.2
Mar. 2005
Description
The HE7601SG is a 770 nm band GaAlAs infrared emitting diode with a double heterojunction structure.
It is suitable as a light source for optical control devices and sensors.
Features
High efficiency and high output power
Package Type
HE7601SG: SG1
Internal Circuit
1
2

与HE7601SG相似型号

型号 品牌 描述 数据表
HE7601SG_06 OPNEXT GaAlAs Infrared Emitting Diode
HE761 BOWEI VGC Amplifier
HE762 BOWEI VGC Amplifier
HE771 BOWEI Reverse Isolation Amplifier