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OPA9455

更新时间： 2024-11-26 12:26:51

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Infrared LED Chip

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OPA9455 数据手册

Infrared LED Chip

OPA9455

GaAs/GaAs

Substrate

GaAs (N Type)

1. Material

Epitaxial Layer GaAs (P/N Type)

N(Cathode) Side Gold Alloy

P(Anode) Side Gold Alloy

2. Electrode

Parameter Symbol Min

Typ

Max

Unit

Condition

3. Electro-Optical

Characteristics

V_F

V_R

P_O

λ_P

Forward Voltage

Reverse Voltage

Power

1.4

1.6

IF=100mA

IR=10uA

IF=100mA

IF=20mA

5.5

940

Wavelength

∆λ

※ Note : Power is measured by Sorter E/T system with bare chip.

(a) Emission Area

(b) Bottom Area

--------------------- 12.8mil x 12.8mil

--------------------- 13.8mil x 13.8mil

--------------------- 150um

4. Mechanical Data

(d) Chip Thickness

(e) Junction Height

---------------------

11mil

8.2mil

(b)

(c)

(d)

(e)

(a)

P Side Electrode

N Side Electrode

AUK Corp.

Eoyang factory,513-5 Eoyang-dong, Iksan, 570-210, Korea

Tel. +82 63 839 1111 Fax. +82 63 835 8259

www.auk.co.kr

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