OPA9410EDD

更新时间： 2024-09-25 12:26:47

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Infrared LED Chip

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OPA9410EDD 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.65	Is Samacsys：	N
光电设备类型：	INFRARED LED	Base Number Matches：	1

OPA9410EDD 数据手册

Infrared LED Chip

OPA9410EDD

GaAlAs/GaAs

Substrate

GaAs (N Type)

1. Material

Epitaxial Layer GaAlAs(P/N Type)

N(Cathode) Side Gold Alloy

P(Anode) Side Gold Alloy

2. Electrode

Parameter Symbol Min

Typ

Max

Unit

Condition

3. Electro-Optical

Characteristics

V_F

V_R

P_O

λ_P

Forward Voltage

Reverse Voltage

Radiant Power

1.35

IF=250mA

IR=10uA

8.5

IF=250mA

940

IF=20mA

Wavelength

∆λ

※ Note : LED Chip is mounted on TO-18 gold header without resin coating.

(a) Emission Area

(b) Bottom Area

--------------------------- 38.5mil x 38.5mil

--------------------------- 40.0mil x 40.0mil

4. Mechanical Data

(d) Chip Thickness

(e) Junction Height

---------------------------

120um

11mil

6.7mil

(d)

(e)

P Side Electrode

N Side Electrode

AUK Corp.

Eoyang factory,513-5 Eoyang-dong, Iksan, 570-210, Korea

Tel. +82 63 839 1111 Fax. +82 63 835 8259

www.auk.co.kr

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