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OPA8560EDD

更新时间： 2024-11-27 12:26:47

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Infrared LED Chip

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OPA8560EDD 数据手册

Infrared LED Chip

OPA8560EDD

High Speed

Substrate

GaAlAs/GaAlAs

GaAlAs (N Type) Removed

1. Material

Epitaxial Layer GaAlAs (P/N Type)

N(Cathode) Side Gold Alloy

P(Anode) Side Gold Alloy

2. Electrode

Parameter Symbol Min

Typ

Max

Unit

Condition

IF=10mA

IF=250mA

IR=10uA

3. Electro-Optical

Characteristics

V_F(1)

Forward Voltage

V_F(2)

1.1

1.5

V_R

P_O

λ_P

Reverse Voltage

Power

12.5

850

IF=250mA

IF=50mA

Wavelength

∆λ

Rise Time

Fall Time

※ Note : LED chip is mounted on TO-18 gold header without resin coating.

(a) Emission Area

(b) Bottom Area

--------------------- 58.1mil x 58.1mil

--------------------- 59.1mil x 59.1mil

4. Mechanical Data

(d) Chip Thickness

(e) Junction Height

---------------------

128um

7mil

6.5mil

(d)

(e)

P Side Electrode

N Side Electrode

AUK Corp.

Eoyang factory,513-5 Eoyang-dong, Iksan, 570-210, Korea

Tel. +82 63 839 1111 Fax. +82 63 835 8259

www.auk.co.kr

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与OPA8560EDD相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
OPA856IDSGR	TI	获取价格	具有 1.1GHz 单位增益带宽、0.9nV/√Hz 噪声的双极输入放大器 \| DSG \|
OPA857	TI	获取价格	Ultralow-Noise, Wideband, Selectable Feedback Resistance Transimpedance Amplifier
OPA857-DIE	TI	获取价格	低噪声、宽带、可选增益、跨阻放大器
OPA857IRGTR	TI	获取价格	Ultralow-Noise, Wideband, Selectable Feedback Resistance Transimpedance Amplifier
OPA857IRGTT	TI	获取价格	Ultralow-Noise, Wideband, Selectable Feedback Resistance Transimpedance Amplifier
OPA857TD1	TI	获取价格	低噪声、宽带、可选增益、跨阻放大器 \| TD \| 0 \| -40 to 85
OPA857TD2	TI	获取价格	低噪声、宽带、可选增益、跨阻放大器 \| TD \| 0 \| -40 to 85
OPA858	TI	获取价格	具有 FET 输入的 5.5GHz 增益带宽积、解补偿跨阻放大器
OPA858IDSGR	TI	获取价格	具有 FET 输入的 5.5GHz 增益带宽积、解补偿跨阻放大器 \| DSG \| 8 \|
OPA858IDSGT	TI	获取价格	具有 FET 输入的 5.5GHz 增益带宽积、解补偿跨阻放大器 \| DSG \| 8 \|