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OPA8550H

更新时间： 2024-11-04 12:26:47

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Infrared LED Chip

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OPA8550H 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.67	光电设备类型：	INFRARED LED
Base Number Matches：	1

OPA8550H 数据手册

Infrared LED Chip

OPA8550H

High Speed

Substrate

GaAlAs/GaAlAs

GaAlAs (N Type) Removed

1. Material

Epitaxial Layer GaAlAs (P/N Type)

N(Cathode) Side Gold Alloy

P(Anode) Side Gold Alloy

2. Electrode

Parameter Symbol Min

Typ

Max

Unit

Condition

IF=10uA

IF=50mA

IR=10uA

IF=50mA

3. Electro-Optical

Characteristics

V_F(1)

Forward Voltage

V_F(2)

1.1

1.6

1.7

V_R

P_O

λ_P

Reverse Voltage

Power

850

IF=50mA

Wavelength

∆λ

Rise Time

Fall Time

※ Note : Power is measured by Sorter E/T system with bare chip.

(a) Emission Area

(b) Bottom Area

(d) Chip Thickness

(e) Junction Height

--------------------- 18.7mil x 18.7mil

--------------------- 19.7mil x 19.7mil

--------------------- double pad

4. Mechanical Data

---------------------

7mil

5.7mil

(d)

(e)

(b)

(a)

P Side Electrode

N Side Electrode

AUK Corp.

Eoyang factory,513-5 Eoyang-dong, Iksan, 570-210, Korea

Tel. +82 63 839 1111 Fax. +82 63 835 8259

www.auk.co.kr

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与OPA8550H相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
OPA855IDSGR	TI	获取价格	具有双极性输入的 8GHz 增益带宽积、解补偿跨阻放大器 \| DSG \| 8 \| -40
OPA855IDSGT	TI	获取价格	具有双极性输入的 8GHz 增益带宽积、解补偿跨阻放大器 \| DSG \| 8 \| -40
OPA855-Q1	TI	获取价格	OPA859-Q1 1.8-GHz Unity-Gain Bandwidth, 3.3-n
OPA855-Q1_V01	TI	获取价格	8-GHz Gain Bandwidth Product, Gain of 7-V/V Stable, Bipolar Input Amplifier
OPA855Q1DSGR	TI	获取价格	8-GHz Gain Bandwidth Product, Gain of 7-V/V Stable, Bipolar Input Amplifier
OPA855QDSGRQ1	TI	获取价格	8-GHz Gain Bandwidth Product, Gain of 7-V/V Stable, Bipolar Input Amplifier
OPA856	TI	获取价格	具有 1.1GHz 单位增益带宽、0.9nV/√Hz 噪声的双极输入放大器
OPA8560EDD	KODENSHI	获取价格	Infrared LED Chip
OPA856IDSGR	TI	获取价格	具有 1.1GHz 单位增益带宽、0.9nV/√Hz 噪声的双极输入放大器 \| DSG \|
OPA857	TI	获取价格	Ultralow-Noise, Wideband, Selectable Feedback Resistance Transimpedance Amplifier