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OPA8540WDD

更新时间： 2024-11-04 12:01:35

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Infrared LED Chip

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OPA8540WDD 数据手册

Infrared LED Chip

OPA8540WDD

High Speed

Substrate

GaAlAs/GaAlAs

GaAlAs (N Type) Removed

1. Material

Epitaxial Layer GaAlAs (P/N Type)

N(Cathode) Side Gold Alloy

P(Anode) Side Gold Alloy

2. Electrode

Parameter Symbol Min

Typ

Max

Unit

Condition

IF=10uA

3. Electro-Optical

Characteristics

V_F1

Forward Voltage

V_F2

1.1

1.4

1.6

IF=150mA

IR=10uA

V_R

P_O

λ_P

Reverse Voltage

Power

IF=150mA

850

IF=50mA

Wavelength

∆λ

11.5

6.6

Rise Time

Fall Time

※ Note : LED chip is mounted on TO-18 gold header without resin coating.

(a) Emission Area

(b) Bottom Area

--------------------- 39.0mil x 39.0mil

--------------------- 39.4mil x 39.4mil

4. Mechanical Data

(d) Chip Thickness

(e) Junction Height

---------------------

100um

7mil

6.3mil

(d)

(e)

P Side Electrode

N Side Electrode

AUK Corp.

Eoyang factory,513-5 Eoyang-dong, Iksan, 570-210, Korea

Tel. +82 63 839 1111 Fax. +82 63 835 8259

www.auk.co.kr

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