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OPA8540EDD

更新时间： 2024-11-04 12:26:47

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Infrared LED Chip

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OPA8540EDD 数据手册

Infrared LED Chip

OPA8540EDD

High Speed

Substrate

GaAlAs/GaAlAs

GaAlAs (N Type) Removed

1. Material

Epitaxial Layer GaAlAs (P/N Type)

N(Cathode) Side Gold Alloy

P(Anode) Side Gold Alloy

2. Electrode

Parameter Symbol Min

Typ

Max

Unit

Condition

IF=10mA

IF=250mA

IR=10uA

3. Electro-Optical

Characteristics

V_F(1)

Forward Voltage

V_F(2)

1.1

1.6

V_R

P_O

λ_P

Reverse Voltage

Power

13.0

850

IF=250mA

840

855

IF=50mA

Wavelength

∆λ

22.0

Rise Time

Fall Time

※ Note : LED chip is mounted on TO-18 gold header without resin coating.

(a) Emission Area

(b) Bottom Area

--------------------- 39.0mil x 39.0mil

--------------------- 39.4mil x 39.4mil

4. Mechanical Data

(d) Chip Thickness

(e) Junction Height

---------------------

120um

7mil

6.3mil

(d)

(e)

P Side Electrode

N Side Electrode

AUK Corp.

Eoyang factory,513-5 Eoyang-dong, Iksan, 570-210, Korea

Tel. +82 63 839 1111 Fax. +82 63 835 8259

www.auk.co.kr

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
OPA8540WDD	KODENSHI	获取价格	Infrared LED Chip
OPA855	TI	获取价格	具有双极性输入的 8GHz 增益带宽积、解补偿跨阻放大器
OPA8550H	KODENSHI	获取价格	Infrared LED Chip
OPA855IDSGR	TI	获取价格	具有双极性输入的 8GHz 增益带宽积、解补偿跨阻放大器 \| DSG \| 8 \| -40
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OPA855Q1DSGR	TI	获取价格	8-GHz Gain Bandwidth Product, Gain of 7-V/V Stable, Bipolar Input Amplifier
OPA855QDSGRQ1	TI	获取价格	8-GHz Gain Bandwidth Product, Gain of 7-V/V Stable, Bipolar Input Amplifier
OPA856	TI	获取价格	具有 1.1GHz 单位增益带宽、0.9nV/√Hz 噪声的双极输入放大器