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OPA5816

更新时间： 2024-11-28 12:26:47

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Yellow LED Chip

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OPA5816 数据手册

Yellow LED Chip

OPA5816

GaAsP/GaP

Substrate

GaP (N Type)

1. Material

Epitaxial Layer GaAsP (P/N Type)

N(Cathode) Side Gold Alloy

P(Anode) Side Gold Alloy

2. Electrode

Parameter Symbol Min

Typ

Max

Unit Condition

3. Electro-Optical

Characteristics

V_F(1)

Forward Voltage

V_F(2)

1.7

IF=1mA

2.15

2.3

IF=20mA

V_R

Reverse Voltage

Brightness

IR=10uA

IF=20mA

140

200

588

mcd

λ_d

Wavelength

∆λ

※ Note : Brightness is measured by Sorter E/T system with bare chip.

(a) Emission Area

(b) Bottom Area

(d) Chip Thickness

(e) Junction Height

--------------------- 10mil x 10mil

--------------------- 11mil x 11mil

--------------------- 115um

--------------------- 11mil

--------------------- 10.6mil

4. Mechanical Data

(b)

(c)

(d)

(e)

(a)

P Side Electrode

N Side Electrode

AUK Corp.

Eoyang factory,513-5 Eoyang-dong, Iksan, 570-210, Korea

Tel. +82 63 839 1111 Fax. +82 63 835 8259

www.auk.co.kr

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