Datasheet > OPA2313QDGKRQ1

OPA2313QDGKRQ1

更新时间： 2024-11-20 11:12:23

品牌	Logo	应用领域
德州仪器 - TI		/
页数	文件大小	规格书
33页	2717K
描述
Automotive-grade, dual, 5.5-V, 1-MHz, low quiescent current (50-μA), RRIO operational amplifier \| DGK \| 8 \| -40 to 125

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

OPA2313QDGKRQ1 数据手册

Support &

Community

Product

Folder

Order

Now

Tools &

Software

Technical

Documents

OPA2313-Q1

ZHCSJ37 –DECEMBER 2018

适用于成本敏感型系统的 OPA2313-Q1 低功耗、轨至轨输入/输出、

500µV 典型失调电压、1MHz 运算放大器

1 特性

3 说明

•

符合面向汽车应用的 AEC-Q100 标准

OPA2313-Q1 双通道运算放大器兼具低功耗和高性能

优势。因此，可将其用于广泛的应用，例如信息娱乐

系统、发动机控制单元、汽车照明等。OPA2313-Q1

具有轨至轨输入和输出 (RRIO) 摆幅、低静态电流

（典型值：50µA）、高带宽 (1MHz) 以及超低噪声

（1kHz 时为 25nV/√Hz）等特性，因此特别适合需要

在成本和性能之间取得良好平衡的各种应用。此外，

由于具有低输入偏置电流，该器件非常适合用于源阻

抗高达兆欧级的应用。

–

器件温度等级 1：

–40°C 至 +125°C T_A

•

面向成本敏感型系统的精密放大器

低 I_Q：50µA/ch

宽电源电压：1.8V 至 5.5V

低噪声：1kHz 下为 25nV/√Hz

增益带宽：1MHz

轨到轨输入/输出

低输入偏置电流：0.2pA

低失调电压：0.5mV

OPA2313-Q1 采用稳健耐用的设计，方便电路设计人

员使用。该器件在容性负载高达 150pF 的条件下具有

单位增益稳定性，集成了 RFI/EMI 抑制滤波器，在过

驱条件下无相位反转，并具有高静电放电 (ESD) 保护

(4kV HBM)。

单位增益稳定

内部射频干扰 (RFI)/电磁干扰 (EMI) 滤波器

2 应用

此器件经过优化，适合在低至 1.8V (±0.9V) 和高达

5.5V (±2.75V) 的电压下工作，且额定的扩展工作温度

范围为 –40°C 至 +125°C。

•

信息娱乐

引擎控制单元

汽车照明

低侧检测

器件信息⁽¹⁾

电池管理系统

无源安全性

电容式检测

燃油泵

器件型号

封装

SOIC (8)

VSSOP (8)

封装尺寸（标称值）

4.90mm × 3.91mm

3.00mm × 3.00mm

OPA2313-Q1

(1) 如需了解所有可用封装，请参阅数据表末尾的可订购产品附

录。

EMIRR IN+ 与频率间的关系

120

100

1000

10000

Frequency (MHz)

C033

本文档旨在为方便起见，提供有关 TI 产品中文版本的信息，以确认产品的概要。有关适用的官方英文版本的最新信息，请访问 www.ti.com，其内容始终优先。 TI 不保证翻译的准确

性和有效性。在实际设计之前，请务必参考最新版本的英文版本。

English Data Sheet: SBOS823

12 3 4 5 6 7...33

中文翻译

下载PDF

与OPA2313QDGKRQ1相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
OPA2313QDRQ1	TI	获取价格	Automotive-grade, dual, 5.5-V, 1-MHz, low qui
OPA2314	TI	获取价格	3-MHz, Low-Power, Low-Noise, RRI/O, 1.8-V CMOS OPERATIONAL AMPLIFIER
OPA2314AID	TI	获取价格	3-MHz, Low-Power, Low-Noise, RRI/O, 1.8-V CMOS OPERATIONAL AMPLIFIER
OPA2314AIDGK	TI	获取价格	3-MHz, Low-Power, Low-Noise, RRI/O, 1.8-V CMOS OPERATIONAL AMPLIFIER
OPA2314AIDGKR	TI	获取价格	3-MHz, Low-Power, Low-Noise, RRI/O, 1.8-V CMOS OPERATIONAL AMPLIFIER
OPA2314AIDGKT	TI	获取价格	DUAL OP-AMP, 2500uV OFFSET-MAX, 3MHz BAND WIDTH, PDSO8, PLASTIC, MSOP-8
OPA2314AIDR	TI	获取价格	3-MHz, Low-Power, Low-Noise, RRI/O, 1.8-V CMOS OPERATIONAL AMPLIFIER
OPA2314AIDRBR	TI	获取价格	3-MHz, Low-Power, Low-Noise, RRI/O, 1.8-V CMOS OPERATIONAL AMPLIFIER
OPA2314AIDRBT	TI	获取价格	3-MHz, Low-Power, Low-Noise, RRI/O, 1.8-V CMOS OPERATIONAL AMPLIFIER
OPA2314AQDRQ1	TI	获取价格	Automotive-grade, dual, 5.5-V, 3-MHz, 1.8-V m

与OPA2313QDGKRQ1相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

23
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

15
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

45
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

45

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

OPA2313QDGKRQ1

OPA2313QDGKRQ1 数据手册

与OPA2313QDGKRQ1相关器件

与OPA2313QDGKRQ1相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

OPA2313QDGKRQ1

OPA2313QDGKRQ1 数据手册

与OPA2313QDGKRQ1相关器件

与OPA2313QDGKRQ1相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？