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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> 2N7002KT1G
2N7002KT1G PDF预览

2N7002KT1G

更新时间： 2024-02-03 19:51:39
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管PC
页数 文件大小 规格书
5页 102K
描述
Small Signal MOSFET 60 V, 380 mA, Single, N−Channel, SOT−23

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2N7002KT1G 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：SOT-23
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.55配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.38 A
最大漏极电流 (ID)：0.32 A最大漏源导通电阻：1.6 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-236
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：0.42 W认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

2N7002KT1G 数据手册

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2N7002K  
Small Signal MOSFET  
60 V, 380 mA, Single, N−Channel, SOT−23  
Features  
• ESD Protected  
http://onsemi.com  
• Low R  
DS(on)  
• Surface Mount Package  
• This is a Pb−Free Device  
V
R
MAX  
I MAX  
D
(Note 1)  
(BR)DSS  
DS(on)  
60 V  
1.6 W @ 10 V  
2.5 W @ 4.5 V  
380 mA  
Applications  
• Low Side Load Switch  
• Level Shift Circuits  
• DC−DC Converter  
Simplified Schematic  
• Portable Applications i.e. DSC, PDA, Cell Phone, etc.  
Gate  
1
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise stated)  
J
Rating  
Drain−to−Source Voltage  
Gate−to−Source Voltage  
Symbol  
Value  
60  
Unit  
V
3
Drain  
V
DSS  
V
GS  
20  
V
Source  
2
Drain Current (Note 1)  
Steady State  
I
D
mA  
T = 25°C  
A
320  
230  
A
T = 85°C  
(Top View)  
t < 5 s  
T = 25°C  
A
380  
270  
A
T = 85°C  
MARKING DIAGRAM  
& PIN ASSIGNMENT  
Power Dissipation (Note 1)  
Steady State  
t < 5 s  
P
D
mW  
300  
420  
3
Drain  
Pulsed Drain Current (t = 10 ms)  
I
1.5  
A
3
p
DM  
1
Operating Junction and Storage  
Temperature Range  
T , T  
−55 to  
+150  
°C  
J
STG  
2
704 MG  
G
SOT−23  
CASE 318  
STYLE 21  
Source Current (Body Diode)  
I
300  
260  
mA  
S
1
2
Lead Temperature for Soldering Purposes  
(1/8″ from case for 10 s)  
T
°C  
L
Gate  
Source  
704  
M
= Specific Device Code  
= Date Code  
= Pb−Free Package  
Gate−Source ESD Rating  
ESD  
2000  
V
(HBM, Method 3015)  
G
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
(Note: Microdot may be in either location)  
*Date Code orientation and/or position may  
vary depending upon manufacturing location.  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
ORDERING INFORMATION  
Junction−to−Ambient − Steady State  
R
417  
°C/W  
†
q
JA  
Device  
2N7002KT1G  
Package  
Shipping  
(Note 1)  
SOT−23  
(Pb−Free)  
3000/Tape & Reel  
Junction−to−Ambient − t ≤ 5 s (Note 1)  
R
300  
q
JA  
1. Surface−mounted on FR4 board using 1 in sq pad size (Cu area = 1.127 in  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications  
Brochure, BRD8011/D.  
sq [1 oz] including traces)  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2008  
1
Publication Order Number:  
July, 2008 − Rev. 4  
2N7002K/D  
 
12345

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