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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> 2N6052G
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2N6052G

更新时间： 2024-01-04 21:13:57
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体晶体管功率双极晶体管开关局域网
页数 文件大小 规格书
5页 137K
描述
Darlington Complementary Silicon Power Transistors

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2N6052G 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-204AA
包装说明：TO-3, 2 PIN针数：2
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.13
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：12 A
集电极-发射极最大电压：100 V配置：DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)：750JEDEC-95代码：TO-3
JESD-30 代码：O-MBFM-P2JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：2
封装主体材料：METAL封装形状：ROUND
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：PNP认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子面层：MATTE TIN (315)
端子形式：PIN/PEG端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：10晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：4 MHzBase Number Matches：1

2N6052G 数据手册

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2N6052  
Preferred Device  
Darlington Complementary  
Silicon Power Transistors  
This package is designed for general−purpose amplifier and low  
frequency switching applications.  
Features  
http://onsemi.com  
• High DC Current Gain — h = 3500 (Typ) @ I = 5.0 Adc  
FE  
C
12 AMPERE  
• Collector−Emitter Sustaining Voltage — @ 100 mA  
V
= 100 Vdc (Min)  
COMPLEMENTARY SILICON  
POWER TRANSISTOR  
100 VOLTS, 150 WATTS  
CEO(sus)  
• Monolithic Construction with Built−In Base−Emitter Shunt Resistors  
• This is a Pb−Free Device*  
MAXIMUM RATINGS (Note 1)  
COLLECTOR  
CASE  
Rating  
Collector−Emitter Voltage  
Collector−Base Voltage  
Emitter−Base Voltage  
Symbol  
Value  
100  
100  
5.0  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Adc  
V
CEO  
BASE  
1
V
CB  
EB  
V
Collector Current − Continuous  
I
C
12  
20  
Peak  
EMITTER 2  
Base Current  
I
B
0.2  
Adc  
Total Power Dissipation @ T = 25°C  
P
D
150  
0.857  
W
W/°C  
MARKING  
DIAGRAM  
C
Derate above 25°C  
Operating and Storage Temperature  
Range  
T , T  
−65 to +200  
°C  
J
stg  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
2N6052G  
AYYWW  
MEX  
Symbol  
Max  
Unit  
1
2
Thermal Resistance, Junction−to−Case  
R
1.17  
°C/W  
q
JC  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
1. Indicates JEDEC Registered Data.  
TO−204AA (TO−3)  
CASE 1−07  
STYLE 1  
160  
140  
120  
100  
80  
2N6052 = Device Code  
G
= Pb−Free Package  
A
= Location Code  
= Year  
= Work Week  
= Country of Orgin  
YY  
WW  
MEX  
60  
ORDERING INFORMATION  
40  
Device  
2N6052G  
Package  
Shipping  
100 Units/Tray  
20  
TO−3  
(Pb−Free)  
0
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
175  
200  
T , CASE TEMPERATURE (°C)  
C
Preferred devices are recommended choices for future use  
and best overall value.  
Figure 1. Power Derating  
*For additional information on our Pb−Free strategy and soldering details, please download the ON Semiconductor Soldering and Mounting  
Techniques Reference Manual, SOLDERRM/D.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2008  
1
Publication Order Number:  
September, 2008 − Rev. 5  
2N6052/D  
 
12345

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
2N6052LEADFREE CENTRAL Power Bipolar Transistor, 12A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2

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