是否无铅: | 不含铅 | 生命周期: | Active |
零件包装代码: | BFM | 包装说明: | LEAD FREE, CASE 197A-05, TO-3, 2 PIN |
针数: | 2 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 0.66 |
外壳连接: | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC): | 50 A |
集电极-发射极最大电压: | 80 V | 配置: | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE): | 5 | JEDEC-95代码: | TO-204AE |
JESD-30 代码: | O-MBFM-P2 | JESD-609代码: | e1 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
最高工作温度: | 200 °C | 最低工作温度: | -65 °C |
封装主体材料: | METAL | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
极性/信道类型: | PNP | 最大功率耗散 (Abs): | 300 W |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | Other Transistors |
表面贴装: | NO | 端子面层: | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) |
端子形式: | PIN/PEG | 端子位置: | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | 标称过渡频率 (fT): | 2 MHz |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
2N5685 | NJSEMI | HIGH-CURRENT COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS |
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2N5685 | MOSPEC | POWER TRANSISTORS(50A,300W) |
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2N5685 | MICROSEMI | NPN POWER SILICON TRANSISTOR |
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2N5685_1 | MICROSEMI | NPN POWER SILICON TRANSISTOR |
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2N5685E3 | MICROSEMI | Power Bipolar Transistor, 50A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-204AE, Metal |
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2N5686 | MICROSEMI | NPN POWER SILICON TRANSISTOR |
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