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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> 2N5657G
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2N5657G

更新时间： 2024-02-10 17:24:17
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体晶体管功率双极晶体管开关局域网
页数 文件大小 规格书
5页 80K
描述
Plastic NPN Silicon High−Voltage Power Transistor

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2N5657G 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Active
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3Reach Compliance Code：not_compliant
风险等级：5.77最大集电极电流 (IC)：0.5 A
基于收集器的最大容量：25 pF集电极-发射极最大电压：350 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：5
JEDEC-95代码：TO-126JESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-65 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：20 W表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：10 MHzVCEsat-Max：10 V
Base Number Matches：1

2N5657G 数据手册

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2N5655, 2N5657  
Plastic NPN Silicon  
High−Voltage Power  
Transistor  
These devices are designed for use in line−operated equipment such  
as audio output amplifiers; low−current, high−voltage converters; and  
AC line relays.  
http://onsemi.com  
0.5 AMPERE  
POWER TRANSISTORS  
NPN SILICON  
Features  
• Excellent DC Current Gain −  
h
= 30−250 @ I = 100 mAdc  
C
FE  
250−350 VOLTS, 20 WATTS  
• Current−Gain − Bandwidth Product −  
f = 10 MHz (Min) @ I = 50 mAdc  
T
C
• Pb−Free Packages are Available*  
MAXIMUM RATINGS (Note 1)  
Rating  
Symbol 2N5655 2N5657 Unit  
Collector−Emitter Voltage  
Collector−Base Voltage  
Emitter−Base Voltage  
V
250  
275  
350  
375  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Adc  
TO−225AA  
CASE 77−09  
STYLE 1  
CEO  
V
CB  
EB  
V
6.0  
Collector Current −  
Continuous  
Peak  
I
0.5  
1.0  
C
MARKING DIAGRAM  
Base Current  
I
1.0  
Adc  
B
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
P
20  
0.16  
W
W/°C  
C
D
Derate above 25°C  
YWW  
2
N565xG  
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
–65 to +150  
°C/W  
J
stg  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
Y
WW  
= Year  
= Work Week  
Thermal Resistance,  
Junction−to−Case  
q
6.25  
°C/W  
JC  
2N565x = Device Code  
x = 5 or 7  
G
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
1. Indicates JEDEC registered data.  
= Pb−Free Package  
ORDERING INFORMATION  
Shipping  
Device  
2N5655  
Package  
TO−225  
500 Units / Bulk  
500 Units / Bulk  
2N5655G  
TO−225  
(Pb−Free)  
2N5657  
TO−225  
500 Units / Bulk  
500 Units / Bulk  
2N5657G  
TO−225  
(Pb−Free)  
*For additional information on our Pb−Free strategy and soldering details, please  
download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques  
Reference Manual, SOLDERRM/D.  
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2006  
1
Publication Order Number:  
October, 2006 − Rev. 9  
2N5655/D  
 
12345

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