2N5656

更新时间： 2024-02-25 04:54:35

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安森美 - ONSEMI		晶体晶体管功率双极晶体管开关局域网
页数	文件大小	规格书
4页	90K
描述
POWER TRANSISTORS NPN SILICON

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2N5656 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	not_compliant	风险等级：	5.9
最大集电极电流 (IC)：	0.5 A	基于收集器的最大容量：	25 pF
集电极-发射极最大电压：	300 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	5	JEDEC-95代码：	TO-126
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-65 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	20 W
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	10 MHz
VCEsat-Max：	10 V

2N5656 数据手册

ON Semiconductor⁾

2N5655

2N5657

Plastic NPN Silicon

High-Voltage Power Transistor

. . . designed for use in line–operated equipment such as audio

output amplifiers; low–current, high–voltage converters; and AC line

relays.

0.5 AMPERE

POWER TRANSISTORS

NPN SILICON

• Excellent DC Current Gain –

= 30–250 @ I = 100 mAdc

• Current–Gain – Bandwidth Product –

250–350 VOLTS

20 WATTS

f = 10 MHz (Min) @ I = 50 mAdc

MAXIMUM RATINGS (1)

Rating

Symbol

2N5655

250

2N5657

350

Unit

Vdc

Adc

Collector–Emitter Voltage

Collector–Base Voltage

Emitter–Base Voltage

CEO

275

375

STYLE 1:

PIN 1. EMITTER

2. COLLECTOR

3. BASE

6.0

Collector Current – Continuous

Peak

0.5

1.0

CASE 77–09

TO–225AA TYPE

Base Current

0.25

Adc

Total Power Dissipation @ T = 25_C

0.16

Watts

W/_C

Derate above 25_C

Operating and Storage Junction

Temperature Range

T , T

J stg

–65 to +150

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristic

Symbol

Max

Unit

Thermal Resistance, Junction to Case

(1) Indicates JEDEC Registered Data.

6.25

_C/W

50 mH

200

TO SCOPE

RELAY

6.0 V

50 V

300

1.0

100

125

150

T , CASE TEMPERATURE (°C)

Figure 2. Sustaining Voltage Test Circuit

Figure 1. Power Derating

Safe Area Limits are indicated by Figures 3 and 4. Both limits are applicable and must be observed.

Semiconductor Components Industries, LLC, 2002

Publication Order Number:

April, 2002 – Rev. 7

2N5655/D

12 3 4

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