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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> 2N5195
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2N5195

更新时间： 2024-01-29 09:32:32
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安森美 - ONSEMI 晶体晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
8页 103K
描述
Silicon PNP Power Transistors(4 AMPERE)

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2N5195 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Active
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.75最大集电极电流 (IC)：4 A
集电极-发射极最大电压：80 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：7JEDEC-95代码：TO-126
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-65 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：PNP表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：2 MHzBase Number Matches：1

2N5195 数据手册

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ON Semiconductor)  
2N5194  
Silicon PNP Power Transistors  
*
2N5195  
*ON Semiconductor Preferred Device  
. . . for use in power amplifier and switching circuits, — excellent  
safe area limits. Complement to NPN 2N5191, 2N5192  
4 AMPERE  
POWER TRANSISTORS  
SILICON PNP  
60–80 VOLTS  
*MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
Collector Current  
Symbol  
2N5194  
60  
2N5195  
80  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Adc  
Adc  
V
CEO  
V
60  
80  
CB  
EB  
V
5.0  
4.0  
1.0  
I
C
Base Current  
I
B
Total Power Dissipation @ T = 25_C  
P
40  
320  
Watts  
mW/_C  
_C/W  
STYLE 1:  
C
D
PIN 1. EMITTER  
2. COLLECTOR  
3. BASE  
Derate above 25_C  
3
2
1
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
J stg  
–65 to +150  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
CASE 77–09  
TO–225AA TYPE  
Symbol  
Max  
Unit  
Thermal Resistance, Junction to Case  
θ
3.12  
_C/W  
JC  
*ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25_C unless otherwise noted)  
C
Characteristic  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
Collector–Emitter Sustaining Voltage (1)  
(I = 0.1 Adc, I = 0)  
V
Vdc  
CEO(sus)  
2N5194  
2N5195  
60  
80  
—
—
C
B
Collector Cutoff Current  
I
mAdc  
mAdc  
CEO  
(V  
CE  
(V  
CE  
= 60 Vdc, I = 0)  
2N5194  
2N5195  
—
—
1.0  
1.0  
B
= 80 Vdc, I = 0)  
B
Collector Cutoff Current  
I
CEX  
(V  
CE  
(V  
CE  
(V  
CE  
(V  
CE  
= 60 Vdc, V  
= 80 Vdc, V  
= 60 Vdc, V  
= 80 Vdc, V  
= 1.5 Vdc)  
= 1.5 Vdc)  
2N5194  
2N5195  
2N5194  
2N5195  
—
—
—
—
0.1  
0.1  
2.0  
2.0  
BE(off)  
BE(off)  
BE(off)  
BE(off)  
= 1.5 Vdc, T = 125_C)  
C
C
= 1.5 Vdc, T = 125_C)  
Collector Cutoff Current  
I
mAdc  
mAdc  
CBO  
(V  
CB  
(V  
CB  
= 60 Vdc, I = 0)  
2N5194  
2N5195  
—
—
0.1  
0.1  
E
= 80 Vdc, I = 0)  
E
Emitter Cutoff Current  
(V = 5.0 Vdc, I = 0)  
I
—
1.0  
EBO  
BE  
C
*Indicates JEDEC Registered Data.  
(1) Pulse Test: Pulse Width v 300 µs, Duty Cycle v 2.0%.  
Preferred devices are ON Semiconductor recommended choices for future use and best overall value.  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2002  
1
Publication Order Number:  
April, 2002 – Rev. 10  
2N5194/D  
12345678

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