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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> 2N5190G
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2N5190G

更新时间： 2024-01-12 23:41:15
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体晶体管功率双极晶体管开关PC局域网
页数 文件大小 规格书
6页 144K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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2N5190G 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.74
最大集电极电流 (IC)：4 A集电极-发射极最大电压：40 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：10
JEDEC-95代码：TO-126JESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-65 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：40 W表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：2 MHzVCEsat-Max：1.4 V
Base Number Matches：1

2N5190G 数据手册

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2N5190G, 2N5191G,  
2N5192G  
Silicon NPN Power  
Transistors  
Silicon NPN power transistors are for use in power amplifier and  
switching circuits, − excellent safe area limits. Complement to PNP  
2N5194, 2N5195.  
http://onsemi.com  
4.0 AMPERES  
NPN SILICON  
POWER TRANSISTORS  
40, 60, 80 VOLTS − 40 WATTS  
Features  
• Epoxy Meets UL 94 V−0 @ 0.125 in.  
• These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant*  
COLLECTOR  
2
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol  
Value  
Unit  
Collector−Emitter Voltage  
2N5190G  
2N5191G  
V
V
V
Vdc  
CEO  
CBO  
EBO  
3
40  
60  
80  
BASE  
2N5192G  
1
Collector−Base Voltage  
2N5190G  
2N5191G  
Vdc  
EMITTER  
40  
60  
80  
2N5192G  
Emitter−Base Voltage  
Collector Current  
5.0  
4.0  
1.0  
Vdc  
Adc  
Adc  
I
C
TO−225  
CASE 77  
STYLE 1  
Base Current  
I
B
Total Device Dissipation  
P
D
@ T = 25°C  
40  
320  
W
mW/°C  
C
1
2
3
Derate above 25°C  
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
–65 to +150  
°C  
J
stg  
MARKING DIAGRAM  
ESD − Human Body Model  
ESD − Machine Model  
HBM  
MM  
3B  
C
V
V
YWW  
2
N519xG  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
Y
WW  
=
=
Year  
Work Week  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
2N519x = Device Code  
x = 0, 1, or 2  
G
Thermal Resistance, Junction−to−Case  
R
3.12  
°C/W  
q
JC  
= Pb−Free Package  
ORDERING INFORMATION  
Device  
Package  
Shipping  
2N5190G  
TO−225  
500 Units/Box  
(Pb−Free)  
2N5191G  
2N5192G  
TO−225  
(Pb−Free)  
500 Units/Box  
500 Units/Box  
TO−225  
(Pb−Free)  
*For additional information on our Pb−Free strategy and soldering details, please  
download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques  
Reference Manual, SOLDERRM/D.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2013  
1
Publication Order Number:  
October, 2013 − Rev. 14  
2N5191/D  
123456

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
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