2N3906O-G

更新时间： 2024-02-29 19:34:30

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安森美 - ONSEMI		晶体晶体管开关 PC
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4页	158K
描述
Transistor

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2N3906O-G 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.58	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.2 A	集电极-发射极最大电压：	40 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	30
JESD-30 代码：	R-PDSO-F3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	250 MHz
最大关闭时间（toff）：	300 ns	最大开启时间（吨）：	70 ns
Base Number Matches：	1

2N3906O-G 数据手册

2N3906

PNP GENERAL PURPOSE SWITCHING TRANSISTOR

40 Volts

625 mWatts

VOLTAGE

POWER

FEATURES

• PNP epitaxial silicon, planar design

• Collector-emitter voltage V_CE= 40V

• Collector current I_C= -200mA

• Pb free product are available :99% Sn above can meet RoHS

environment substance directive request

MECHANICAL DATA

Case: TO-92

Terminals: Solderable per MIL-STD-750, Method 2026

Approx Weight : 0.02grams

Marking : S2A

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

PARAMETER

SYMBOL

V_CEO

VALUE

-40

UNIT

Collector - Emitter Voltage

Collector - Base Voltage

Emitter - Base Voltage

Collector Current - Continuous

Max Power Dissipation

Storage Temperature

V_CBO

V_EBO

I _C

-40

-5.0

-200

^OC

P_TOT

T_STG

T_J

625

-55 to 150

Junction Temperature

THERMALCHARACTERISTICS

PARAMETER

SYMBOL

R_θJA

VALUE

200

UNITS

^OC / W

Thermal Resistance, Junction to Ambient

REV.0-DEC.12.2005

PAGE . 1

12 3 4

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与2N3906O-G相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2N3906Q	DIODES	Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92 S	获取价格
2N3906RA	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 40V V(BR)CEO \| 200MA I(C) \| TO-92	获取价格
2N3906RL	ONSEMI	200mA, 40V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, PLASTIC, TO-226AA, 3 PIN	获取价格
2N3906RL1	ONSEMI	General Purpose Transistors	获取价格
2N3906RL1G	ONSEMI	General Purpose Transistors PNP Silicon	获取价格
2N3906RLRA	ONSEMI	General Purpose Transistors	获取价格