5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> 2N3771G
2N3771G PDF预览

2N3771G

更新时间： 2024-02-27 10:57:41
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体晶体管功率双极晶体管开关局域网
页数 文件大小 规格书
5页 80K
描述
High Power NPN Silicon Power Transistors

阅读下载

获取价格

2N3771G 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Active
包装说明：FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.7最大集电极电流 (IC)：15 A
集电极-发射极最大电压：40 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：5JEDEC-95代码：TO-3
JESD-30 代码：O-MBFM-P2JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：200 °C最低工作温度：-65 °C
封装主体材料：METAL封装形状：ROUND
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：150 W
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：PIN/PEG端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：0.2 MHz
VCEsat-Max：4 VBase Number Matches：1

2N3771G 数据手册

 浏览型号2N3771G的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2N3771G的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2N3771G的Datasheet PDF文件第4页浏览型号2N3771G的Datasheet PDF文件第5页 
2N3771, 2N3772  
2N3771 is a Preferred Device  
High Power NPN Silicon  
Power Transistors  
These devices are designed for linear amplifiers, series pass  
regulators, and inductive switching applications.  
Features  
http://onsemi.com  
• Forward Biased Second Breakdown Current Capability  
20 and 30 AMPERE  
POWER TRANSISTORS  
NPN SILICON  
I
= 3.75 Adc @ V = 40 Vdc − 2N3771  
CE  
S/b  
= 2.5 Adc @ V = 60 Vdc − 2N3772  
CE  
• Pb−Free Packages are Available*  
40 and 60 VOLTS, 150 WATTS  
MAXIMUM RATINGS (Note 1)  
Rating  
Symbol 2N3771 2N3772 Unit  
MARKING  
DIAGRAM  
Collector−Emitter Voltage  
Collector−Emitter Voltage  
Collector−Base Voltage  
Emitter−Base Voltage  
V
40  
50  
50  
5.0  
60  
80  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Adc  
CEO  
V
CEX  
V
100  
7.0  
CB  
EB  
V
Collector Current − Continuous  
Peak  
I
30  
30  
20  
30  
2N377xG  
AYYWW  
C
MEX  
TO−204AA (TO−3)  
Base Current −  
Continuous  
Peak  
I
7.5  
15  
5.0  
15  
Adc  
B
CASE 1−07  
STYLE 1  
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
150  
0.855  
W
W/°C  
C
D
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
–65 to +200  
°C  
2N377x = Device Code  
x = 1 or 2  
J
stg  
G
A
YY  
WW  
MEX  
= Pb−Free Package  
= Assembly Location  
= Year  
= Work Week  
= Country of Origin  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
Thermal Resistance,  
Junction−to−Case  
q
1.17  
°C/W  
JC  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
ORDERING INFORMATION  
Shipping  
Device  
Package  
1. Indicates JEDEC registered data.  
2N3771  
TO−204  
100 Units / Tray  
100 Units / Tray  
2N3771G  
TO−204  
(Pb−Free)  
2N3772  
TO−204  
100 Units / Tray  
100 Units / Tray  
2N3772G  
TO−204  
(Pb−Free)  
Preferred devices are recommended choices for future use  
and best overall value.  
*For additional information on our Pb−Free strategy and soldering details, please  
download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques  
Reference Manual, SOLDERRM/D.  
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2006  
1
Publication Order Number:  
October, 2006 − Rev. 11  
2N3771/D  
 
12345

下载PDF

与2N3771G相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
2N3772 STMICROELECTRONICS HIGH POWER NPN SILICON TRANSISTOR

获取价格
2N3772 ONSEMI POWER TRANSISTORS (NPN SILICON)

获取价格
2N3772 MOSPEC POWER TRANSISTORS(150W)

获取价格
2N3772 BOCA HIGH POWER NPN SILICON POWER TRANSISTORS

获取价格
2N3772 MICROSEMI NPN HIGH POWER SILICON TRANSISTOR

获取价格
2N3772 SAVANTIC Silicon NPN Power Transistors

获取价格

与2N3771G相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证