2N3771

更新时间： 2024-01-06 20:52:23

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安森美 - ONSEMI		晶体晶体管局域网
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6页	207K
描述
POWER TRANSISTORS (NPN SILICON)

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2N3771 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
包装说明：	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.7	最大集电极电流 (IC)：	15 A
集电极-发射极最大电压：	40 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	5	JEDEC-95代码：	TO-3
JESD-30 代码：	O-MBFM-P2	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	200 °C	最低工作温度：	-65 °C
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	150 W
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	PIN/PEG	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	0.2 MHz
VCEsat-Max：	4 V	Base Number Matches：	1

2N3771 数据手册

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by 2N3771/D

SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA

*Motorola Preferred Device

. . . designed for linear amplifiers, series pass regulators, and inductive switching

applications.

20 and 30 AMPERE

POWER TRANSISTORS

NPN SILICON

•

Forward Biased Second Breakdown Current Capability

= 3.75 Adc @ V

= 40 Vdc — 2N3771

= 60 Vdc — 2N3772

40 and 60 VOLTS

150 WATTS

S/b

= 2.5 Adc @ V

*MAXIMUM RATINGS

Rating

Symbol

2N3771

2N3772

Unit

Vdc

Adc

Collector–Emitter Voltage

Collector–Base Voltage

Emitter–Base Voltage

CEO

CEX

CASE 1–07

TO–204AA

(TO–3)

100

7.0

5.0

Collector Current — Continuous

Peak

Base Current — Continuous

Peak

7.5

5.0

Adc

Total Device Dissipation @ T = 25 C

Derate above 25 C

150

0.855

Watts

W/ C

Operating and Storage Junction

Temperature Range

T , T

–65 to +200

stg

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristics

Symbol

2N3771, 2N3772

Unit

Thermal Resistance, Junction to Case

* Indicates JEDEC Registered Data.

1.17

C/W

200

175

150

125

100

125

150

175

200

, CASE TEMPERATURE (

Figure 1. Power Derating

Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.

REV 7

M^Mo^oto^tor^ro^ol^laa^{, I}B^ncip^{. 1}o⁹la⁹⁵r Power Transistor Device Data

12 3 4 5 6

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