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ONET4291T

更新时间： 2024-01-23 04:42:37
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 放大器
页数 文件大小 规格书
16页 639K
描述
4.25-Gbps Transimpedance Amplifier With AGC and RSSI

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ONET4291T 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：QFN
包装说明：HVQCCN, LCC20,.16SQ,20针数：20
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：5A991.B.1
HTS代码：8542.39.00.01Factory Lead Time：1 week
风险等级：0.85接口集成电路类型：INTERFACE CIRCUIT
JESD-30 代码：S-PQCC-N20JESD-609代码：e4
长度：4 mm湿度敏感等级：2
功能数量：1端子数量：20
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：HVQCCN
封装等效代码：LCC20,.16SQ,20封装形状：SQUARE
封装形式：CHIP CARRIER, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE峰值回流温度（摄氏度）：260
电源：3.3 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1 mm子类别：Display Drivers
最大压摆率：46 mA最大供电电压：3.6 V
最小供电电压：2.9 V标称供电电压：3.3 V
表面贴装：YES温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)端子形式：NO LEAD
端子节距：0.5 mm端子位置：QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED宽度：4 mm
Base Number Matches：1

ONET4291T 数据手册

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ONET4291T  
www.ti.com  
SLLSE82 –APRIL 2011  
4.25-Gbps Transimpedance Amplifier With AGC and RSSI  
Check for Samples: ONET4291T  
1
FEATURES  
APPLICATIONS  
•
•
•
•
•
•
•
2.8-GHz Bandwidth  
•
SONET/SDH Transmission Systems at OC24  
and OC48  
3.2-kΩ Differential Transimpedance  
Automatic Gain Control (AGC)  
8.8-pA/√Hz Typical Input Referred Noise  
2-mAp-p Maximum Input Current  
Received Signal Strength Indication (RSSI)  
•
4.25-Gbps, 2.125-Gbps, and 1.0625-Gbps  
Fiber-Channel Receivers  
•
•
Gigabit Ethernet Receivers  
PIN Preamplifier-Receivers  
CML Data Outputs With On-Chip 50-Ω  
Back-Termination  
•
•
•
On-Chip Supply Filter Capacitor  
Single 3.3-V Supply  
Die Size: 0,78 × 1,18 mm  
DESCRIPTION  
The ONET4291T is a high-speed transimpedance amplifier used in optical receivers with data rates up to 4.25  
Gbps.  
It features a low input referred noise, 2.8-GHz bandwidth, automatic gain control (AGC), 3.2-kΩ transimpedance,  
and received signal strength indication (RSSI).  
The ONET4291T is available in die form and is optimized for use in a TO can.  
The ONET4291T requires a single 3.3-V supply, and its power-efficient design typically dissipates less than 56  
mW. The device is characterized for operation from –40°C to 85°C ambient temperature.  
AVAILABLE OPTIONS  
TA  
DIE  
–40°C to 85°C  
ONET4291TY  
1
Please be aware that an important notice concerning availability, standard warranty, and use in critical applications of Texas  
Instruments semiconductor products and disclaimers thereto appears at the end of this data sheet.  
PRODUCTION DATA information is current as of publication date.  
Products conform to specifications per the terms of the Texas  
Instruments standard warranty. Production processing does not  
necessarily include testing of all parameters.  
Copyright © 2011, Texas Instruments Incorporated  
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