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ON2170Q PDF预览

ON2170Q

更新时间： 2024-09-18 21:18:03
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC 传感器换能器
页数 文件大小 规格书
3页 89K
描述
Diffuse Photoelectric Sensor, 1mm Min, 1mm Max, 0.09-0.22mA, 1-Channel, Rectangular, Through Hole Mount, 2.70 X 3.40 MM, 1.50 MM HEIGHT, ULTRAMINIATURE, PLASTIC, PRSMW104-001, 4 PIN

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ON2170Q 技术参数

生命周期：ActiveReach Compliance Code：unknown
风险等级：5.83其他特性：HIGH SENSITIVITY, 0.40V VCE, 200NA DARK CURRENT
主体宽度：2.7 mm主体高度：1.5 mm
主体长度或直径：3.4 mm最大测量范围（毫米）：1 mm
最小测量范围（毫米）：1 mm安装特点：THROUGH HOLE MOUNT
信道数量：1最大工作电流：50 mA
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-25 °C
输出电路类型：Transistor最大输出电流：0.22 mA
输出范围：0.09-0.22mA输出类型：ANALOG CURRENT
最大输出电压：30 V封装形状/形式：RECTANGULAR
响应时间：20 µs传感器/换能器类型：LINEAR POSITION SENSOR,PHOTOELECTRIC,DIFFUSE
子类别：Position, Linear, Photoelectric Sensors最大供电电压：1.5 V
最小供电电压：1.3 V表面贴装：NO
端接类型：SOLDERVCEsat-Max：0.4 V
Base Number Matches：1

ON2170Q 数据手册

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Reflective Photosensors (Photo Reflectors)  
CNB1302 (ON2170)  
Reflective photosensor  
Non-contact point SW, object sensing  
Unit: mm  
Mark for indicating  
Anode side  
C0.5  
■ Overview  
CNB1302 is a small, thin reflective photosensor consisting of a  
high efficiency GaAs infrared light emitting diode which is integrated  
with a high sensitivity Si phototransistor in a single resin package.  
±
3
Chip  
center  
■ Features  
• Ultraminiature, thin type: 2.7 mm × 3.4 mm (height: 1.5 mm)  
• Visible light cutoff resin is used  
• Fast response: tr , tf = 20 µs (typ.)  
• Easy interface for control circuit  
4-0.7  
4-0.5  
±0.±  
0.5  
2
4
■ Applications  
±.8  
0.±5  
• Control of motor and other rotary units  
• Detection of position and edge  
• Detection of paper, film and cloth  
• Start, end mark detection of magnetic tape  
3.4±0.3  
1: Anode  
2: Cathode  
3: Emitter  
4: Collector  
■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25°C  
PRSMW104-001 Package  
Parameter  
Input (Light Reverse voltage  
emitting diode) Forward current  
Power dissipation  
Symbol Rating  
Unit  
V
VR  
IF  
3
50  
75  
30  
mA  
mW  
V
PD  
Output (Photo Collector-emitter voltage VCEO  
transistor)  
(Base open)  
Emitter-collector voltage VECO  
(Base open)  
5
V
Collector current  
IC  
20  
50  
mA  
mW  
°C  
Collector power dissipation  
PC  
Temperature Operating ambient temperature Topr  
Storage temperature  
−25 to +85  
Tstg −30 to +100  
°C  
■ Electrical-Optical Characteristics Ta = 25°C 3°C  
Parameter  
Symbol  
Conditions  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
V
Input  
Forward voltage  
VF  
IR  
IF = 50 mA  
VR = 3 V  
1.3  
1.5  
characteristics Reverse current  
0.01 10.00  
µA  
pF  
Terminal capacitance  
Ct  
VR = 0 V, f = 1 MHz  
VCE = 10 V  
30  
Output  
Collector-emitter cutoff current ICEO  
200  
nA  
characteristics (Base open)  
1, 2  
Transfer  
Collector current *  
IC  
ID  
VCC = 5 V, IF = 10 mA, RL = 100 Ω, d = 1 mm  
VCC = 5 V, IF = 10 mA, RL = 100 Ω  
90  
880  
µA  
nA  
V
characteristics Dark current  
200  
Collector-emitter saturation voltage VCE(sat) IF = 20 mA, IC = 0.1 mA  
0.4  
Rise time  
Fall time  
tr  
tf  
VCC = 5 V, IC = 0.1 mA  
RL = 100 Ω  
20  
20  
µs  
µs  
Note) 1. Input and output are handled electrically.  
2. This product is not designed to withstand radiation  
3. 1: Output current measurement method  
*
2: Rank classification  
*
Evaporated Al  
Glass plate  
(d = 1 mm)  
Rank  
IC (µA)  
Color  
Q
R
S
90 to 220  
Orange  
180 to 440 360 to 880  
White Blue  
RL  
IC  
IF  
VCC  
Note) The part number in the parenthesis shows conventional part number.  
Publication date: April 2004  
SHG00047BED  
1
123

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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