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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-MSFM-P3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.74 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | RADIATION HARDENED | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 100 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 10.2 A | 最大漏极电流 (ID)： | 10.2 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.6 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-257AA | JESD-30 代码： | R-MSFM-P3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 70 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 41 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | PIN/PEG |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| OM9130STCDT | ETC | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 10.2A I(D) | TO-257AA |
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| OM9130STCHS | ETC | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 10.2A I(D) | TO-257AA |
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| OM9130STCHT | ETC | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 10.2A I(D) | TO-257AA |
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| OM9130STCRS | ETC | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 10.2A I(D) | TO-257AA |
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| OM9130STCRT | ETC | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 10.2A I(D) | TO-257AA |
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| OM9135EA26 | OHMITE | Fixed Resistor, Carbon Film, 1W, 91000ohm, 500V, 5% +/-Tol, 450ppm/Cel, Through Hole Mount |
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