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| 生命周期： | Transferred | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.84 | 其他特性： | HIGH RELIABILITY |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 250 V | 最大漏极电流 (ID)： | 8 A |
| 最大漏源导通电阻： | 2.08 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-257AA | JESD-30 代码： | R-MSFM-P3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 24 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | PIN/PEG | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| OM9001SS | ETC | TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 100V V(BR)DSS | 30A I(D) |
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| OM9001SST | INFINEON | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 100V, 0.065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| OM9002SS | ETC | TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 200V V(BR)DSS | 25A I(D) |
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| OM9002SSPBF | INFINEON | Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 200V, 0.095ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| OM9002SST | INFINEON | Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 200V, 0.095ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| OM9003SS | ETC | TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 400V V(BR)DSS | 15A I(D) |
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