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| 生命周期： | Transferred | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.65 | 其他特性： | HIGH RELIABILITY |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 250 V | 最大漏极电流 (ID)： | 8 A |
| 最大漏源导通电阻： | 2 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-254AA | JESD-30 代码： | S-MSFM-P3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | SQUARE | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 24 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | PIN/PEG | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| OM8P25CST | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 250V, 2.08ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
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| OM8P25CSTM | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 250V, 2.08ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
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| OM8P25CSTV | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 250V, 2.08ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
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| OM8P25SA | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-254AA |
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| OM8P25SAM | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 250V, 2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-o |
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| OM8P25SAT | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 250V, 2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-o |
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| OM8P25SAV | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 250V, 2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-o |
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| OM8P25ST | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-257AA |
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| OM8P25STM | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 250V, 2.08ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
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| OM8P25STT | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 250V, 2.08ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
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