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OM75N05SAV

更新时间： 2024-11-21 20:45:43

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	75K
描述
Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 50V, 0.018ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA, HERMETIC SEALED, METAL, TO-254AA, 3 PIN

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OM75N05SAV 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
包装说明：	FLANGE MOUNT, S-MSFM-P3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.69
Is Samacsys：	N	雪崩能效等级（Eas）：	900 mJ
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	50 V	最大漏极电流 (ID)：	75 A
最大漏源导通电阻：	0.018 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-254AA	JESD-30 代码：	S-MSFM-P3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	METAL	封装形状：	SQUARE
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	225 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	PIN/PEG
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

OM75N05SAV 数据手册

OM55N10SC OM60N10SC OM75N05SC OM75N06SC

OM55N10SA OM75N05SA OM75N06SA

LOW VOLTAGE, LOW R_DS(on)POWER MOSFETS

IN HERMETIC ISOLATED PACKAGE

50V, 60V, And 100V Ultra Low R_DS(on)

Power MOSFETs In TO-254 And TO-258

Isolated Packages

FEATURES

• Isolated Hermetic Metal Packages

• Ultra Low R_DS(on)

• Low Conductive Loss/Low Gate Charge

• Available Screened To MIL-S-19500, TX, TXV And S Levels

• Ceramic Feedthroughs available

DESCRIPTION

This series of hermetic packaged MOSFETs are ideally suited for low voltage

applications; battery powered voltage power supplies, motor controls, dc to dc

converters and synchronous rectification. The low conduction loss allows smaller

heat sinking and the low gate change simpler drive circuitry.

MAXIMUM RATINGS (Per Device)

PART NO.

OM60N10SC

OM55N10SC

OM55N10SA

OM75N06SC

OM75N06SA

OM75N05SC

OM75N05SA

V_DS(V)

100

R_DS(on)( )

.025

I_D(A)

Package

TO-258AA

TO-254AA

TO-258AA

TO-254AA

TO-258AA

TO-254AA

.030

.035

.016

3.1

.018

.016

.018

PIN CONNECTION

SCHEMATIC

TO-254AA

TO-258AA

Drain

Gate

Source

Pin 1: Drain

Pin 2: Source

Pin 3: Gate

Pin 1: Drain

Pin 2: Source

Pin 3: Gate

4 11 R1

Supersedes 2 07 R0

3.1 - 47

12 3 4 5 6 7 8

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与OM75N05SAV相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
OM75N05SC	INFINEON	获取价格	LOW VOLTAGE, LOW RDS(on) POWER MOSFETS IN HERMETIC ISOLATED PACKAGE
OM75N05SCT	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 50V, 0.016ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
OM75N05SCV	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 50V, 0.016ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
OM75N05SW	ETC	获取价格	50V Single N-Channel Hi-Rel MOSFET in a D3 package
OM75N06NK	ETC	获取价格	60V Single N-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-204AE package
OM75N06NKT	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 60V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
OM75N06SA	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 60V, 0.018ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
OM75N06SC	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 60V, 0.016ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
OM75N06SCV	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 60V, 0.016ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
OM75N06SW	ETC	获取价格	60V Single N-Channel Hi-Rel MOSFET in a D3 package

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