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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| OM6293 | NXP |
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Smart, simple solutions for the 12 most common design concerns |
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| OM6297 | NXP |
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Smart, simple solutions for the 12 most common design concerns |
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| OM62G5E-R58 | OHMITE |
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RES 6.2 OHM 1W 5% AXIAL |
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| OM6353 | NXP |
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INTEGRATED CIRCUITS |
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| OM6405SD | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | ARRAY | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 8A I(D) | FP |
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| OM6405SDT | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 100V, 0.2ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| OM6406SD | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | ARRAY | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 8A I(D) | FP |
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| OM6406SDT | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 200V, 0.44ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| OM6406SDV | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 200V, 0.44ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| OM6407SD | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | ARRAY | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 5.5A I(D) | FP |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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