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OM6055SJ1

更新时间: 2023-06-15 00:00:00
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英飞凌 - INFINEON /
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2页 64K
描述
Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 1000V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-267AA, HERMETIC SEALED, METAL, TO-267, 3 PIN

OM6055SJ1 数据手册

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