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| 生命周期： | Active | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-MSFM-P3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.67 |
| 其他特性： | HIGH RELIABILITY | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 500 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 30 A | 最大漏源导通电阻： | 0.16 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-267AA |
| JESD-30 代码： | R-MSFM-P3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 80 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | PIN/PEG |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| OM6052SJT | INFINEON | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 500V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| OM6052SJV | INFINEON | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 500V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| OM6053SJ | INFINEON | HIGH CURRENT MOSFET IN ISOLATED, TO-267 HERMETIC PACKAGE, SIZE 7 DIE, LOW RDS(on) |
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| OM6053SJ1 | INFINEON | Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 600V, 0.23ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| OM6053SJT | INFINEON | Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 600V, 0.23ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| OM6054SJ | INFINEON | HIGH CURRENT MOSFET IN ISOLATED, TO-267 HERMETIC PACKAGE, SIZE 7 DIE, LOW RDS(on) |
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