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OM50N06SAPBF

更新时间： 2024-02-17 00:00:20

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	203K
描述
Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA, HERMETIC SEALED, METAL, MPAK-3

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OM50N06SAPBF 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-254AA
包装说明：	FLANGE MOUNT, S-MSFM-P3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.65	雪崩能效等级（Eas）：	400 mJ
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (ID)：	50 A
最大漏源导通电阻：	0.028 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-254AA	JESD-30 代码：	S-MSFM-P3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	METAL	封装形状：	SQUARE
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	200 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	PIN/PEG	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

OM50N06SAPBF 数据手册

OM60N06SA OM60N05SA OM50N06ST

OM50N06SA OM50N05SA OM50N05ST

LOW VOLTAGE, LOW R_DS(on)POWER MOSFETS

IN HERMETIC ISOLATED PACKAGE

50V And 60V Ultra Low R_DS(on)

Power MOSFETs In TO-257 And TO-254

Isolated Packages

FEATURES

• Isolated Hermetic Metal Packages

• Ultra Low R_DS(on)

• Low Conductive Loss/Low Gate Charge

• Available Screened To MIL-S-19500, TX, TXV And S Levels

• Ceramic Feedthroughs Available

DESCRIPTION

This series of hermetic packaged MOSFETs are ideally suited for low voltage

applications; battery powered voltage power supplies, motor controls, dc to dc

converters and synchronous rectification. The low conduction loss allows smaller

heat sinking and the low gate charge simpler drive circuitry.

MAXIMUM RATINGS (Per Device)

PART NO.

OM60N06SA

OM50N06SA

OM50N06ST

OM60N05SA

OM50N05SA

OM50N05ST

V_DS(V)

R_DS(on)( )

.025

I_D(A)

Package

TO-254AA

TO-257AA

TO-254AA

TO-257AA

.030

.035

3.1

.025

.030

.035

SCHEMATIC

T-3 PIN

CONNECTION

M-PAK PIN

CONNECTION

Drain

2 3

Gate

Pin 1: Drain

Pin 2: Source

Pin 3: Gate

Pin 1: Drain

Pin 2: Source

Pin 3: Gate

Source

4 11 R1

Supersedes 3 02 R0

3.1 - 65

12 3 4 5 6

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