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| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.72 | 特性阻抗： | 75 Ω |
| 构造： | MODULE | 最大工作频率： | 2050 MHz |
| 最小工作频率： | 950 MHz | 射频/微波设备类型： | WIDE BAND LOW POWER |
| 最大电压驻波比： | 2.1 | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| OM30G5E-R58 | OHMITE |
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RES 3 OHM 1W 5% AXIAL |
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| OM30N20C | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 200V V(BR)DSS | 30A I(D) |
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| OM30SP1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 1000V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal- |
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| OM3105N | NXP |
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Hybrid integrated circuits for inductive proximity detectors |
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| OM3105P | NXP |
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Hybrid integrated circuits for inductive proximity detectors |
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| OM3115N | NXP |
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Hybrid integrated circuits for inductive proximity detectors |
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| OM3115P | NXP |
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Hybrid integrated circuits for inductive proximity detectors |
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| OM320 | NXP |
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RF/Microwave Amplifier, 40 MHz - 860 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND LOW POWER AMPLIFIER |
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| OM320 | PHILIPS |
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RF/Microwave Amplifier, Hybrid, |
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| OM323A | ETC |
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RF Amplifier |
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